【产品】采用3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS，内置700V高压启动，支持最大130KHz工作频率
3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了支持CCM/QR的反激式PWM控制器、650V超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。
RM6620DS集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6620DS采用专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6620DS本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。
RM6620DS同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo)，逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。
功能特点
■支持CCM/QR混合模式；
■内置700V高压启动；
■集成X-CAP放电功能；
■内置650V超结MOSFET；
■支持最大130KHz工作频率；
■内置特有抖频技术改善EMI；
■Burst Mode去噪音；
■低启动电流（2μA），低工作电流；
■集成斜坡补偿及高低压功率补偿；
■集成AC输入Brown out/in功能；
■外置OVP保护；
■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
原理图
产品系列
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自亚成微电子官网，原文标题为:支持120W快充｜3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】待机功耗小于75mW的电流控制型PWM开关控制芯片RM6801S，集成X-CAP放电功能
RM6801S是亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。
【产品】集成高压启动、6级能效的PWM+PFM控制器RM6501S，支持CCM/QR混合模式
亚成微电子推出的PWM+PFM控制器RM6501S是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。
【产品】高性能电流控制型PWM开关控制芯片RM6601SDL，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准
亚成微电子推出的RM6601SDL是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。集成多种工作模式。
【产品】电流控制型PWM开关控制芯片RM6601SD，支持CCM/QR混合模式，最大工作频率130kHz
亚成微电子推出的RM6601SD是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。
【产品】支持最大130KHz工作频率的PWM开关控制芯片RM6601SN，全电压范围内待机功耗小于75mW
亚成微电子推出的RM6601SN是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130KHz的PWM模式下。
【产品】合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND，具有小体积、高性能、低功耗等特点，支持最大36W快充
合封氮化镓高集成电源芯片RM6604ND内部采用亚成微电子自主研发封装技术，芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大36W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点。
【产品】高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片RM6601NDL，待机功耗小于75mW，满足六级能效标准
RM6601NDL是亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。
【产品】高性能开关电源芯片RM1342S，内置700V高压启动，支持100W快充
高性能开关电源芯片RM1342S是一款应用于大功率快充的高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，芯片满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。
【产品】氮化镓直驱电源芯片RM6801SQ，具有高效率、高通流、高导热率等特点，最大输出功率120W
RM6801SQ是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化镓驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高通流、高导热率等特点。
【产品】电流控制型PWM开关控制芯片RM6604NDL，支持CCM/QR混合模式，工作频率达85kHz
亚成微电子推出的RM6604NDL是一款内置650V GaNFET，高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。
电子商城
服务
可定制变压器的常规尺寸从EE4.4到ETD49不等，温度范围：-40℃~150℃。自动化产品的起订数量：20KPCS，其它定制产品无起订量要求。
提交需求>
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论