【应用】超级结MOSFET SLF65R240S2助力200W TV电源，具有更高效率和更好EMI效果
随着能效标准提升，集成化、超薄化的TV电源要求小体积和高能效，各种先进半导体技术特别是超级结MOSFET，为TV电源板卡带来了高效率和低成本。
如图1，常见的TV电源具体应用电路框图，电路使用开关模式电源，AC220V交流电压经过整流后，变成直流300V左右范围的电压，在经过DC-DC电压转换输出5v、12V电压给TV电源主板供电。这里介绍美浦森（Maplesemi）超级结MOSFET SLF65R240S2在DC-DC转换中作为核心功率开关器件（Q1位置）的使用优势：
1、SLF65R240S2的VDS电压是650V，适合整流输出电压为300V~450v的使用环境，并留有足够防击穿余量。
2、导通电阻最大为240mΩ，持续漏极电流12A@Tc=100℃，可极大降低导通损耗，减少器件发热量，保证产品安全可靠。
3、通用主流的TO-220F塑封封装，实现对国外品牌的兼容替换，实现低成本化，同时规避绝缘设计，实现更小体积。
4、具有宽的工作结温，工作结温为-55℃~150℃，适用复杂的工作环境。
5、SLF65R240S2是尾缀S2系列，该系列使用多层外延工艺，同等型号和条件下，EAS、EMI和稳定性更好。
图1
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美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2
SLB80R180GT 800V N沟道多外延Super-JMOSFET
描述- 该资料介绍了SLB80R180GT型800V N-Channel Super-JMOSFET的特性。这种功率MOSFET采用Msemitek先进的超级结MOSFET技术制造，具有低导通电阻、高开关性能和耐高压脉冲的能力，适用于高效开关电源。
型号- SLB80R180GT
SLF65R280E7 650V N沟道多外延Super-JMOSFET
描述- 本资料介绍了Msemitek公司生产的SLF65R280E7型号N沟道超级结MOSFET。该器件采用先进的超级结技术，旨在降低导通损耗、提供优异的开关性能并承受雪崩和关断模式下的高能量脉冲。适用于AC/DC转换器在开关模式操作中的高效能应用。
型号- SLF65R280E7
SLP60R180E7D/SLF60R180E7D 600V N沟道多外延Super-JMOSFET
描述- 本资料介绍了SLP60R180E7D和SLF60R180E7D两款600V N-Channel Super-JMOSFET器件。这些器件采用Maple semi先进的超级结MOSFET技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高鲁棒性，适用于高效率开关电源。
型号- SLF60R180E7D,SLP60R180E7D
SLD60R280E7 600V N沟道多外延Super-JMOSFET
描述- 本资料介绍了Msemitek公司生产的SLD60R280E7型号N通道超级结MOSFET。该器件采用先进的超结技术制造，旨在降低导通损耗，提供优异的开关性能和承受高能量脉冲的能力。适用于AC/DC电源转换的高效开关模式操作。
型号- SLD60R280E7
【产品】700V/11A的N沟道MOSFET SLP70R420S2/SLF70R420S2，传导损耗小
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP70R420S2和SLF70R420S2，是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。漏源电压700V，连续漏极电流11A，适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。
SLF65R380E7 650V N沟道多外延Super-JMOSFET
描述- 本资料介绍了Msemitek公司生产的SLF65R380E7型号N沟道超级结功率MOSFET。该器件采用先进的超级结技术制造，具有低导通损耗、优异的开关性能和高鲁棒性，适用于AC/DC电源转换的高效开关模式操作。
型号- SLF65R380E7
【产品】800V的N沟道MOSFET SLD80R500SJ系列，适合AC/DC功率转换应用
SLD80R500SJ、SLU80R500SJ、SLP80R500SJ、SLF80R500SJ、SLB80R500SJ、SLI80R500SJ是美浦森推出的N沟道MOSFET，采用Maple semi超级结技术，漏源电压最大额定值为800V，连续漏极电流最大额定值为11A。
【产品】650V的N沟道MOSFET SLD65R420S2系列，采用Maplesemi超级结技术
SLD65R420S2/SLU65R420S2是美浦森推出的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为11A，符合RoHS标准，采用Maple semi超级结技术，非常适合AC/DC功率转换等应用。
【产品】5A/600V/850mΩ的N沟道MOSFET SLP/F60R850S2
SLP60R850S2、SLF60R850S2这两款N沟道MOSFET采用了美浦森（Maplesemi）先进的超级结MOSFET技术，该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这两款N沟道MOSFET非常适合用于高效开关模式电源中。
SLP65R240S2/SLF65R240S2 650V N沟道MOSFET产品介绍
描述- 本资料介绍了Maple Semi生产的650V N-channel MOSFET，采用先进的Super-Junction技术。该器件具有高鲁棒性、低导通电阻、快速开关特性，适用于AC/DC电源转换。
型号- SLP65R240S2,SLF65R240S2
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品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥13.1612
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品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥4.9543
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品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥4.9543
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥2.5825
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
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现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥3.1396
现货： 30
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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