【经验】半桥式开发板EPC90122的快速启动说明
宜普电源转换公司(EPC)推出的EPC90122半桥式开发板,大小为2英寸x 2英寸,最大输入电压为80V,最大输出电流为40A,采用半桥式配置并配有板载栅极驱动器,栅极驱动器的输入电压范围为7-12V,并且该开发板内含EPC2206增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。该开发板旨在通过把所有关键元件集结在一块可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上,从而简化对eGaN FET的评估过程。
图1 EPC90122开发板(正面)
图2 EPC90122开发板(反面)
图3 开发板框图
快速启动程序:
1. 断电状态下,将输入电源总线连接到VIN(J5, J6),接地端返回至GND。
2. 断电状态下,根据需要来连接半桥开关节点。或利用L1和COUT,将直流负载通过VOUT和GND连接。
3. 断电状态下,将栅极驱动电压连接到VDD(J1,Pin-1),接地端返回至GND(J1,Pin-2)。
4. 断电状态下,将输入脉宽调制控制信号连接到脉宽调制引脚(J2,Pin-1),接地端返回至剩余J2的GND引脚。
5. 打开栅极驱动电源,确保电源介于7.5V到12V之间。
6. 打开控制器(PWM输入源)。
7. 确保输出不是开路,输入电压初始值是0V,打开电源并缓慢调升电压至所需值,打开探头开关节点,查看开关操作。
8. 工作器件调节PWM控制端,总线电压和负载在工作范围内,并观察输出开关行为,效率和其它参数。
9. 如需关机,请按相反步骤操作。
图4 Boost配置
图5 Buck配置
表1 开发板各项性能
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由董慧翻译自EPC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南
一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例,分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs
This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.
【经验】EPC分享eGaN FET如何缩小现代电源电路的物理尺寸——以LLC谐振转换器的设计为例
EPC设计的氮化镓场效应管具有小尺寸,高功率密度的特点,本文从LLC谐振转换器的设计说明了eGaN FET如何缩小现代电源电路的物理尺寸,并提高功率密度。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。
EAS egallium氮化物放大器2.1评估套件Class-D高性能egallium氮化物FET放大器平台
描述- 该资料介绍了EAS eGaNAMP 2.1评估套件,这是一款高性能的eGaN FET放大器平台。该平台包括eGaNAMP2016放大器模块、D2Audio DAE-3HT/DAE-6控制器/数字信号处理器,支持立体声、2.0和2.1通道音频配置。平台提供高保真音频参考,支持多种音频输入源接口,包括立体声模拟音频输入、光S/PDIF数字音频输入和AES-EBU数字音频输入。此外,该平台具有完全可编程的DSP前端,支持USB接口进行编程,并兼容D2Audio DAE-3、DAE-3HT和DAE-6 IC。
【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍
EPC推出新型200V eGaN FETs(氮化镓增强型功率晶体管),相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半,栅电极和源电极之间的距离有所减小,金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。
eGaN FETs Are Low EMI Solutions!
GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.
【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。
电子商城
服务
提供7~27寸工控机定制,支持嵌⼊式/ 壁挂式 /桌⾯式/悬挂式等安装方式,采用纯平⾯板IP65防尘防⽔等级,莫⽒7级硬度触摸屏,兼容多种操作系统:组态软件/安卓/XP/win7/8/10/Linux等,支持主板、接⼝、外观、⽀架、刷卡器、⾝份证阅读器、LOGO、⻨克⻛、系统、电池、蓝⽛、4G/5G、摄像头、GPS系统、⼆维码扫描器、指纹等特殊应⽤场景定制
最小起订量: 1台 提交需求>
可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论