【产品】低导通电阻N/P沟道功率MOSFET DI018C03PT，耗散功率均为10.8W（TC=25℃）

时间： 2022-05-13 来源：Diotec

技术问答

DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI018C03PT的N/P沟道功率MOSFET，器件采用QFN3×3薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，最大额定值参数方面，漏-源电压为30V和-30V（V_GS=0V，短接），持续栅-源电压均为±20V，耗散功率均为10.8W（T_C=25℃），允许通过的漏极持续电流分别为27A和-18A（T_C=25℃ ），漏极峰值电流为分别为120A和-80A，工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，产品适用于电源管理模块，电池供电的设备，负载开关，极性保护以及工业和商业级应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示：

主要特性

小型封装，可节省空间
薄型器件，高度低
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定

典型应用

电源管理模块
电池供电的设备
负载开关，极性保护
工业和商业级应用

机械参数

编带和卷盘包装：5000/13”
重量约0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1

最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）

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Drain Source Voltage VDS[V]

Drain Current ID[A]

Junction Temperature Tjmax[℃]

Polarity pol

Power Dissipation Ptot [W]

Peak Drain Current IDM [A]

Threshold Voltage VGSth[V]

On-Resistance RDSon[Ω]

On-Resistance ID[A]

On-Resistance VGS[V]

Turn-OnTime ton[ns]

Turn-Off Time toff[ns]

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