【产品】低导通电阻N/P沟道功率MOSFET DI018C03PT，耗散功率均为10.8W（TC=25℃）
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI018C03PT的N/P沟道功率MOSFET，器件采用QFN3×3薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，最大额定值参数方面，漏-源电压为30V和-30V（VGS=0V，短接），持续栅-源电压均为±20V，耗散功率均为10.8W（TC=25℃），允许通过的漏极持续电流分别为27A和-18A（TC=25℃ ），漏极峰值电流为分别为120A和-80A，工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，产品适用于电源管理模块，电池供电的设备，负载开关，极性保护以及工业和商业级应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示：
主要特性
小型封装，可节省空间
薄型器件，高度低
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
电源管理模块
电池供电的设备
负载开关，极性保护
工业和商业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13”
重量约0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
p265 3D STEP
型号- DI035P04PT,DI025N06PT,DI050N04PT,DI035P02PT,DI035P04PT-AQ,DI025N06PT-AQ,DI035N10PT,DI020P06PT-AQ,DI040P04PT,DI072N06PT,DI040N03PT-AQ,DI050N04PT-AQ,DI045N03PT,DI001N65PTK,DI049N06PTK,DI048N04PT-AQ,DI040N03PT,DI028P03PT,DI040P04PT-AQ,DI017P03PT2-AQ,DI075N04PT-AQ,DI020P06PT,DI045N04PT-AQ,DI065N06PT,DI032N03PTK,DI050P03PT-AQ,DI049N06PTK-AQ,DI001N65PTK-AQ,DI018C03PT-Q,DI018C03PT,DI045N03PT-AQ,DI035N10PT-AQ,DI050P03PT
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