【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11，适用于高频开关和同步整流

时间： 2023-05-10 来源：NCE

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NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于R_DS(ON)和Q_g的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。

一般特性

V_DS=85V，I_D=110A

漏源导通电阻R_DS(ON)＜5.8mΩ@V_GS=10V

优秀的FOM产品：Q_g×R_DS(on)

非常低的漏源导通电阻R_DS(on)

最高工作温度175℃

无铅电镀

100% UIS测试

100% ΔVds测试

应用

DC/DC转换器

高频开关和同步整流的理想选择

绝对最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）：

电气参数（T_C=25℃，除非特别说明）

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.表面贴装在FR4板，t≤10s

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4.由设计保证，不受产品限制

5.EAS条件：T_j=25℃，V_DD=42.5V，V_G=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω

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