【产品】1200V 80mΩ的SiC MOSFET，漏源电压1200V，可用于光伏逆变器、UPS 电源等方面
瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12080BD的漏源电压为1200V，导通电阻典型值为80mΩ 。芯片尺寸为2.965×3.140mm²，应用广泛，主要用于光伏逆变器， UPS 电源， 电机驱动等方面。
图 1 芯片外观
特点
●高压、低导通电阻
●高速、寄生电容小
●高工作结温
●快速恢复体二极管
电学特性 （T C =25 °C ，特殊说明除外）
表 1
机械参数
表 2
应用
●光伏逆变器
● UPS电源
● 电机驱动
●高压DC/DC变换器
● 开关电源
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由三年不鸣转载自瞻芯电子，原文标题为:IV1Q12080BD – 1200V 80mΩ SiC MOSFET 芯片，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
【产品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3，采用TO247-3封装
IV1Q12080T3是瞻芯电子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET，采用TO247-3封装，可在-55到175℃范围内工作。它有着高压、低导通电阻、高速、寄生电容小等优良特性，可应用于光伏逆变器、UPS 电源等领域。
【产品】1200V 750mΩ SiC MOSFET IV1Q12750T3 ，高耐压且寄生电容小
瞻芯电子推出的IV1Q12750T3 SiC MOSFET，漏源电压为1200V，导通电阻典型值为750mΩ，采用TO247-3封装，具有高耐压，高工作结温的特性，可用于高压DC/DC变换器。
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
|
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS（V）
|
RDS(ON) （mΩ）
|
ID（TC=25°C）（A）
|
VTH（ TJ =25°C）（V）
|
VTH（ TJ =175°C）（V）
|
Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
|
Package
|
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
IV2Q171R0D7Z–1700V 1000mΩSiC MOSFET
描述- 该资料介绍了InventChip公司的IV2Q171R0D7Z型号1700V 1000mΩ碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用第二代SiC MOSFET技术，具有高压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于光伏、辅助电源、开关电源和智能电表等领域。
型号- IV2Q171R0D7Z
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080T4
IV1Q12050T4–1200V 50mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T4型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T4
【元件】瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用
瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
IV1Q12750O3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）产品IV1Q12750O3。该产品具有高阻断电压、高速切换、低电容和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750O3
IV2Q12017T4–1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET的特点、技术规格和应用领域。该器件具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017T4
IV2Q12017BD – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q12017BD型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BD
IV2Q12017BA – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。芯片具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BA
IV1Q12017BAG– 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的IV1Q12017BAG型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12017BAG
IV1Q12750T3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12750T3型号的1200V 750mΩ碳化硅（SiC）MOSFET。该器件具有高阻断电压、高速切换能力、低电容和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750T3
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论