【产品】1200V 80mΩ的SiC MOSFET，漏源电压1200V，可用于光伏逆变器、UPS 电源等方面
瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12080BD的漏源电压为1200V，导通电阻典型值为80mΩ 。芯片尺寸为2.965×3.140mm²，应用广泛，主要用于光伏逆变器， UPS 电源， 电机驱动等方面。
图 1 芯片外观
特点
●高压、低导通电阻
●高速、寄生电容小
●高工作结温
●快速恢复体二极管
电学特性 （T C =25 °C ，特殊说明除外）
表 1
机械参数
表 2
应用
●光伏逆变器
● UPS电源
● 电机驱动
●高压DC/DC变换器
● 开关电源
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