【产品】采用TO-247封装的650V超级结功率MOSFET TPW65R170M

时间： 2019-11-20 来源：无锡紫光微电子

代理服务

技术支持

批量订货

超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPW65R170M是一款650V超级结功率MOSFET，采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

产品特点：

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

产品应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

器件的的封装和内部电路：

器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为0.7mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A，在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为484mJ，雪崩电流最大额定值为3.5A，具有较好的抗浪涌性。功耗最大额定值为151W，脉冲二极管正向电流最大额定值为60A，导通电阻最大仅为0.17Ω。

器件标记和封装信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本文由史班长翻译自无锡紫光微电子，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（1）

志成 Lv7. 资深专家 2019-11-21

学习，下载

没有更多评论了

【产品】650V超级结功率MOSFET TPP65R190MFD，采用TO-220封装

无锡紫光微推出的TPP65R190MFD是一款650V超级结功率MOSFET，采用了TO-220封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-11 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】600V超级结功率MOSFET TPA/TPP/TPV/TPW60R160M ,可应用于开关模式电源

无锡紫光微推出的TPA60R160M,TPP60R160M,TPV60R160M,TPW60R160M是4款600V超级结功率MOSFET，分别采用了TO-220F, TO-220,TO-3PN和TO-247封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-21 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】800V超级结功率MOSFET TPA80R250A/TPP80R250A/TPW80R250A

无锡紫光微推出的TPA80R250A,TPP80R250A,TPW80R250A是3款800V超级结功率MOSFET，分别采用了TO-220F, TO-220和TO-247封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-10-18 - 新产品代理服务技术支持批量订货

无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表

无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。

产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

AGR360N65S N沟道超级结功率MOSFET

描述- 该资料介绍了AGR360N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。它是一种高压器件，具有低导通电阻和低传导损耗，适用于电源因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。

型号- AGR360N65S

2024/03/19 - 安邦 - 数据手册 - Revision B 代理服务技术支持批量订货

TPP80R300C, TPA80R300C, TPV80R300C, TPC80R300C, TPB80R300C 800V Super-Junction Power MOSFET

描述- 本资料介绍了无锡微电子公司的800V超级结功率MOSFET系列产品，包括TPP80R300C、TPA80R300C、TPV80R300C、TPC80R300C和TPB80R300C。这些器件具有非常低的导通电阻和栅极电荷，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

型号- TPV80R300C,TPC80R300C,TPP80R300C,TPA80R300C,TPB80R300C

2019/05/30 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货

TPG65R360M 650V超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的TPG65R360M型650V超级结功率MOSFET。该器件采用多EPI技术，具有极低的开关、传导和通态损耗，适用于高频应用，提供更高的可靠性和效率。

型号- TPG65R360M

无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货

RM35N650T7超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了RM35N650T7型超级结功率MOSFET的特性。该器件具有650伏电压、35安培电流能力，低导通电阻和高可靠性，适用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

型号- RM35N650T7

2023-07 - 丽正国际 - 数据手册 - REV:O 代理服务技术支持批量订货

TPA65R360M, TPD65R360M, TPP65R360M,TPU65R360M 650V Super-Junction Power MOSFET

描述- 该资料介绍了无锡紫光微电子公司的650V超级结功率MOSFET产品系列，包括TPA65R360M、TPD65R360M、TPP65R360M和TPU65R360M。这些器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

型号- TPD65R360M,TPU65R360M,TPP65R360M,TPA65R360M

2019/05/30 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V2.0 代理服务技术支持批量订货

TPA80R300A、TPP80R300A、TPR80R300A800V超级结功率MOSFET

描述- 该资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPA80R300A、TPP80R300A和TPR80R300A三种800V超级结功率MOSFET。这些器件采用深沟槽超级结技术，具有非常低的开关损耗、传导损耗和通态电阻乘以电荷量（FOM RDS(on)×Qg），适用于高电压应用。

型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A

2021/1/13 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货

TPD50R3K8D 500V超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了由无锡微电子股份有限公司生产的TPD50R3K8D型号500V超级结功率MOSFET。该器件采用深沟槽技术，具有非常低的开关、传导和通态损耗，适用于高频共振切换应用，提供更高的可靠性和效率。

型号- TPD50R3K8D

2020/11/17 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

TPA80R180M、TPB80R180M 800V超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的两款800V超级结功率MOSFET——TPA80R180M和TPB80R180M。这些器件采用多EPI技术，具有极低的开关、通信和导通损耗，适用于高电压应用，特别适合于谐振切换应用。

型号- TPA80R180M,TPB80R180M

无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货

TPA65R620CFD 650V超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co., Ltd生产的650V Super-junction Power MOSFET——TPA65R620CFD。该器件采用深沟槽Super-junction技术，具有低开关损耗、传导损耗和优异的鲁棒性，适用于高频共振切换应用。

型号- TPA65R620CFD

2021/1/19 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持批量订货