UMS参与法国CNRS和AID的GREAT项目，加速射频GaN技术的发展，解决高达100GHz的高效率、高功率应用

时间： 2021-03-17 来源：UMS

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UMS参与由法国国家科学研究中心（CNRS）和国防创新局（AID）合作的GREAT项目，该项目与高频氮化镓（GaN）有关。

得益于该涉及GaN领域的合作项目，UMS加速了射频GaN技术的发展，以解决高达100GHz的高效率、高功率应用。该项目还对SOITEC公司开发的新型GaN射频材料进行了评估。

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薛雨 Lv8. 研究员 2022-04-12

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force Lv7. 资深专家 2022-04-07

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蓝天之心 Lv6. 高级专家 2022-04-05

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UMS的GH25 0.25μm 氮化镓工艺助力欧航Pacis 3项目的双通道固态功率放大器开发

Pacis 3是卫星运营商Hisdesat与欧洲航天局（ESA)之间的合作项目（PP），它得到了西班牙工业技术发展中心（CDTI）的支持。Sener的DSSPA是基于大功率放大器集成电路构建的，这个大功率放大集成电路是由UMS使用其GH25 0.25μm氮化镓（GaN）工艺设计和生产的。该技术能够提供高射频功率水平，并在高温下提供高可靠性和良好性能。

2021-03-16 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

PD1500A半导体动态参数分析仪整套系统解决氮化镓测试挑战，采用无焊接接触技术，同时还可以实现自动检测和可重复测试

具有“小身材，大能量”的氮化镓，它的理想肯定不只是作为充电器，实际上氮化镓作为功率器件，在电动汽车，光伏发电，数据中心等方向应用都有非常好的应用前景。Keysight PD1500A半导体动态参数分析仪整套系统不仅能够解决氮化镓测试挑战，还采用了新开发的无焊接接触技术，同时还可以实现自动检测和可重复测试等。

2021-01-14 - 原厂动态

泰高（Tagore）GaN射频器件选型指南

目录- 公司及发展历程介绍 GaN市场机遇产品市场应用介绍 GaN RF产品

型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC

2023/7/3 - 泰高 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

UMS 射频MMIC芯片选型指南

描述- UMS has a comprehensive offer based on the supply of either ASIC or catalogue products, in the main based on the Company’s internal III-V technologies and through the provision of a comprehensive foundry service, allowing customers to directly create their own product solutions.

型号- CHA7618-99F,CHA2441-QAG,CHV2421-QDG,CHT4016-99F,CHA5618-99F,CHK9013-99F,PPH25,CHA6105-99F,CHA4105-99F,CHR3693-QDG,CHA4314-98F,CHX2095A99F,CHP3015-QDG,CHC2444-QBB,PH25,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA3664-QAG,CHA7115-99F,CHA3514-99F,CHC6094-QKB,CHV3241-QDG,CHR2411-QDG,CHA5115-99F,CHS5104-QAG,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA8362-99F,PH10,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA5005-QDG,CHP4014-98F,PH15,CHA4253AQQG,CHW4313-QAG,CHA3398-98F,CHA6095-QKB,CHA2494-98F,CHT3029-99F,CHT3091A99F,CHR3762-QDG,CHA7453-99F,CHP4014-QEG,CHT4690-QAG,CHR3364-QEG,CHA3395-98F,CHA2293-99F,CHX1191-QDG,CHV1203-FAB,CHP4010-99F,CHX2089-99F,CHA5266-99F,CHA4253-FAB,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHE1260-QAG,PPH15X,CHA6005-99F,CHA3656-QAG,CHR3662-QDG,CHW4213-QAG,CHU3377-98F,CHR3693-FAB,CHA5014-99F,CHKA012A99F,CHZ180A-SEB,CHT4694-QAG,CHX2092A99F,BES,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHX2193-FAB,CHA2394-99F,CHT4690-FAB,HB20M,CHM2179B98F,CHA3092-99F,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA8252-99F,CHZ180AASEB,CHK015AAQIA,CHP3010A98F,CHA3511-99F,CHA2595-98F,CHX1162-QDG,CHR1080A99F,CHT4016-QEG,CHP1102-QGG,CHA4105-QDG,CHR3693-99F,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6682-98F,CHP1102-98F,CHA2090-99F,CHA1010-99F,CHU2277-99F,CHR3394-QEG,CHA4350-QDG,CHA3801-99F,CHR3663-QEG,CHX2193-99F,CHC1443-QRA,CHX1191-98F,CHA3666-99F,CHM1080-98F,CHR3763-QDG,CHS8618-99F,CHA7452-99F,CHA3409-98F,CHA2362-98F,GH25,CHA5266-QDG,CHR3764-QEG,CHT3029-QEG,CHA3024-QGG,CHA2098B99F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHR2294-99F,CHA3063-99F,CHA3395-QDG,CHK8015-99F,GH15,CHA6550-98F,CHA2494-QEG,CHA8611-99F,CHR2270-QRG,CHA8710-QDB,CHA2066-99F,CHM1291-99F,CHA3801-FAB,CHP4511-99F,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHK5010-99F,CHP4012A98F,CHA3080-98F,CHA6550-QXG,CHA5659-98F,CHM1294-99F,CHK8101-SYC,CHX2090-QDG,CHA3512-99F,CHK8013-99F,CHA1008-99F,CHA8618-99F,CHA2190-99F,CHA5350-99F,CHS5100-99F,CHA3565-QAG,CHA6682-QKB,CHV1203A98F,CHA5659-QXG,CHP3010-QFG,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3024-99F,CHA4253A98F,CHA7062-QCB,CHA3801-QDG,CHR3664-QEG,CHA2110-QDG,CHX2192-99F,CHR3362-QEG,CHA2595-QDG,HP07,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-99F,CHR2421-QEG,CHT4699-QDG,CHZ015AAQEG,CHS5104-99F,CHP1102-QDG,CHT4690-99F,CHR3861-QEG,CHP4012-QEG,CHA8100-99F,CHT3091AQAG,CHX3068-QDG,CHR3894-98F,CHZ8012-QJA,CHA2266-99F,CHS2411-QDG,CHV1206A98F,CHA8352-99F,CHA3218-99F,CHR2295-99F,CHA7455-99F,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA1077A98F,CHX2091-99F,CHA2193-99F,CHA3666-FAB,CHA3024-FDB,CHM1290-99F,CHA8610-99F,CHT4694-99F,CHM2378A99F,CHA6710-FAB,CHA2157-99F,CHU2277A98F,CHS7012-99F,CHA8254-99F,CHA2110-98F,CHA3023-99F,CHKA011ASXA,CHA3656-FAB,CHC3014-99F,CHA6262-99F,CHA8262-99F,CHKA012BSYA,CHM1270A98F,CHT4012-QDG,CHA2411-QDG,CHA6094-QKB,CHP3015-99F,CHE1260-98F,CHA4107-QDG,CHA3513-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA7114-99F,CHK8201-SYA,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHV2411AQDG,CHA3665-QAG,CHE1270-QAG,CHA2292-99F,CHT4660-FAB,CHV2240-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHC2442-QPG,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7215-99F,CHA6354-QQA,CHK8101A99F,CHA4102-QEG,CHA4220-98F,CHC6054-QQA,CHR2291-99F,CHS5105-QAG,CHA6653-98F,CHA6362-QXG,CHA6005-QEG,CHA2066-QAG,CHT4012A98F,CHV2243A99F,CHA8054-99F,CHZ9012-QFA,CHA6282-QCB,CHX2090-99F,CHA3689-99F,CHE1270A99F,CHR3894-QEG,CHA6194-QXG,EC2612-99F,CHR2296-99F,CHE1270A98F,CHA6356-QXG,CHA8612-QDB,CHM1298-99F,CHA6357-QKB,CHA8212-99F,CHA4220-QGG

2024/5/21 - UMS - 选型指南代理服务技术支持采购服务

射频氮化镓的发展趋势和方向

在过去的 10 年中，氮化镓已经成为一种越来越重要的射频应用技术。氮化镓的材料特性使其器件在功率密度、外形尺寸、击穿电压、热导率、工作频率、带宽和效率方面具有优势。设计师们已经开发出器件解决方案，与竞争性的半导体技术相比，具有非常吸引人的性能特点。

2024-12-09 - 技术探讨

【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程，助力MMIC设计，提供代工服务

UMS（United Monolithic Semiconductors）是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，法国公司Thales＆EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外，UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺，可为客户提供Foundry service。PH10、PH15、PH25是UMS推

2018-10-20 - 新技术代理服务技术支持采购服务

氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

2024-05-23 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA，采用单刀双掷氮化镓单片微波IC，QFN封装

描述- 该资料详细介绍了CHA6354-QQA，一款27.5-30GHz频段，输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术，内置SPDT开关，具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点，适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。

型号- CHA6354-QQA

01 Jul 24 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式

UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。

2018-12-23 - 新产品代理服务技术支持采购服务

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

描述- UMS推出基于其GH25氮化镓（GaN）工艺的共享晶圆制造服务。该服务提供用于高功率应用的0.25微米HEMT GaN-on-SiC衬底技术，支持设计GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、电源条和多功能组件。服务包括精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器堆栈和布局规则验证DRC。此优惠适用于新设计方案评估和原型制作，价格为每平方毫米3400欧元，最低订购面积为4mm²。用户将收到来自良好晶圆的16个工程芯片，价格根据电路尺寸乘以单位面积价格计算。GH25工艺具有高功率密度、低栅极长度和高截止频率等特点。有意参与者可通过联系UMS市场销售部门获取更多信息或订购GaN区域。

型号- GH25

March 22, 2024 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

描述- UMS推出基于GH25 GaN工艺的共享晶圆代工服务，适用于射频MMIC产品和晶圆代工服务。GH25是一种针对高功率应用的0.25µm HEMT GaN on SiC衬底技术。该服务支持设计GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、功率条和多功能组件。提供精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器和布局规则验证工具。报价针对新设计概念评估和原型制作，价格为2800欧元/平方毫米，最小订单为4平方毫米。MPW启动日期为2020年11月20日，需在2020年11月13日之前提交GDS文件。

2019/11/12 - UMS - 技术文档代理服务技术支持采购服务

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

描述- UMS推出基于GH25 GaN工艺的共享晶圆代工服务，旨在支持GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、功率条和多功能组件的设计。GH25是一种适用于高功率应用的0.25µm HEMT GaN on SiC衬底技术。该服务提供精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器堆栈和布局规则验证DRC。报价适用于工程设计晶圆，价格为每平方毫米2800欧元，最低订购量为4mm²。多项目晶圆的启动日期为2019年6月14日。

型号- GH25

2019/03/28 - UMS - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计

UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器，工作频段可以达到0~5GHz，在CW波的工作条件下，最高输出功率典型值可以达到35W，线性增益典型值可以达到16dB。

2018-02-10 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

GH15氮化镓技术

描述- GH15 GaN工艺针对高功率、高PAE和高线性度优化，适用于30GHz以上频率。该工艺结合氮化镓功率密度和碳化硅散热基板，在30GHz时功率密度超过3W/mm。工艺包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。适用于设计高功率和高PAE放大器、稳健的LNA和高功率开关。主要应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。工艺设计套件（PDK）包含非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、无源模型，以及相关库元素。

型号- GH15

2019/08/14 - UMS - 技术文档代理服务技术支持采购服务查看更多版本

采用QFN封装的2W RF前端37-41 GHz氮化镓单片微波IC

描述- 该资料介绍了UMS公司生产的AI2404型号的2W射频前端模块，该模块工作在37-41GHz频段，采用GaN on SiC技术制造，适用于5G地面网络、高吞吐量固定无线接入和相控阵天线等应用。

08 Apr 24 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用

UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。

2019-04-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务