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薛雨 Lv8. 研究员 2022-04-12学习了 -
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force Lv7. 资深专家 2022-04-07学习 -
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蓝天之心 Lv6. 高级专家 2022-04-05学习 -
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用户34169263 Lv7. 资深专家 2022-03-07学习下 -
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极度认真 Lv8. 研究员 2022-02-16氮化镓 -
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用户40859063 Lv4. 资深工程师 2022-02-09学习学习 -
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UMS的GH25 0.25μm 氮化镓工艺助力欧航Pacis 3项目的双通道固态功率放大器开发
Pacis 3是卫星运营商Hisdesat与欧洲航天局（ESA)之间的合作项目（PP），它得到了西班牙工业技术发展中心（CDTI）的支持。Sener的DSSPA是基于大功率放大器集成电路构建的，这个大功率放大集成电路是由UMS使用其GH25 0.25μm氮化镓（GaN）工艺设计和生产的。该技术能够提供高射频功率水平，并在高温下提供高可靠性和良好性能。
PD1500A半导体动态参数分析仪整套系统解决氮化镓测试挑战，采用无焊接接触技术，同时还可以实现自动检测和可重复测试
具有“小身材，大能量”的氮化镓，它的理想肯定不只是作为充电器，实际上氮化镓作为功率器件，在电动汽车，光伏发电，数据中心等方向应用都有非常好的应用前景。Keysight PD1500A半导体动态参数分析仪整套系统不仅能够解决氮化镓测试挑战，还采用了新开发的无焊接接触技术，同时还可以实现自动检测和可重复测试等。
UMS GaN GH15-10 technology has successfully been space evaluated
UMS is proud to announce that the GH15-10 MMIC GaN HEMT technology has successfully been space evaluated and is now part of the European Preferred Part List (EPPL) established by the European Space Agency (ESA).
泰高（Tagore）GaN射频器件选型指南
描述- 2021年成立于中国深圳，主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售，其芯片设计中心位于美国芝加哥，产品应用中心位于中国深圳与厦门。
型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
UMS 射频MMIC芯片选型指南
描述- UMS has a comprehensive offer based on the supply of either ASIC or catalogue products, in the main based on the Company’s internal III-V technologies and through the provision of a comprehensive foundry service, allowing customers to directly create their own product solutions.
型号- CHA7618-99F,CHA2441-QAG,CHV2421-QDG,CHT4016-99F,CHA5618-99F,CHK9013-99F,PPH25,CHA6105-99F,CHA4105-99F,CHR3693-QDG,CHA4314-98F,CHX2095A99F,CHP3015-QDG,CHC2444-QBB,PH25,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA3664-QAG,CHA7115-99F,CHA3514-99F,CHC6094-QKB,CHV3241-QDG,CHR2411-QDG,CHA5115-99F,CHS5104-QAG,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA8362-99F,PH10,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA5005-QDG,CHP4014-98F,PH15,CHA4253AQQG,CHW4313-QAG,CHA3398-98F,CHA6095-QKB,CHA2494-98F,CHT3029-99F,CHT3091A99F,CHR3762-QDG,CHA7453-99F,CHP4014-QEG,CHT4690-QAG,CHR3364-QEG,CHA3395-98F,CHA2293-99F,CHX1191-QDG,CHV1203-FAB,CHP4010-99F,CHX2089-99F,CHA5266-99F,CHA4253-FAB,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHE1260-QAG,PPH15X,CHA6005-99F,CHA3656-QAG,CHR3662-QDG,CHW4213-QAG,CHU3377-98F,CHR3693-FAB,CHA5014-99F,CHKA012A99F,CHZ180A-SEB,CHT4694-QAG,CHX2092A99F,BES,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHX2193-FAB,CHA2394-99F,CHT4690-FAB,HB20M,CHM2179B98F,CHA3092-99F,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA8252-99F,CHZ180AASEB,CHK015AAQIA,CHP3010A98F,CHA3511-99F,CHA2595-98F,CHX1162-QDG,CHR1080A99F,CHT4016-QEG,CHP1102-QGG,CHA4105-QDG,CHR3693-99F,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6682-98F,CHP1102-98F,CHA2090-99F,CHA1010-99F,CHU2277-99F,CHR3394-QEG,CHA4350-QDG,CHA3801-99F,CHR3663-QEG,CHX2193-99F,CHC1443-QRA,CHX1191-98F,CHA3666-99F,CHM1080-98F,CHR3763-QDG,CHS8618-99F,CHA7452-99F,CHA3409-98F,CHA2362-98F,GH25,CHA5266-QDG,CHR3764-QEG,CHT3029-QEG,CHA3024-QGG,CHA2098B99F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHR2294-99F,CHA3063-99F,CHA3395-QDG,CHK8015-99F,GH15,CHA6550-98F,CHA2494-QEG,CHA8611-99F,CHR2270-QRG,CHA8710-QDB,CHA2066-99F,CHM1291-99F,CHA3801-FAB,CHP4511-99F,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHK5010-99F,CHP4012A98F,CHA3080-98F,CHA6550-QXG,CHA5659-98F,CHM1294-99F,CHK8101-SYC,CHX2090-QDG,CHA3512-99F,CHK8013-99F,CHA1008-99F,CHA8618-99F,CHA2190-99F,CHA5350-99F,CHS5100-99F,CHA3565-QAG,CHA6682-QKB,CHV1203A98F,CHA5659-QXG,CHP3010-QFG,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3024-99F,CHA4253A98F,CHA7062-QCB,CHA3801-QDG,CHR3664-QEG,CHA2110-QDG,CHX2192-99F,CHR3362-QEG,CHA2595-QDG,HP07,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-99F,CHR2421-QEG,CHT4699-QDG,CHZ015AAQEG,CHS5104-99F,CHP1102-QDG,CHT4690-99F,CHR3861-QEG,CHP4012-QEG,CHA8100-99F,CHT3091AQAG,CHX3068-QDG,CHR3894-98F,CHZ8012-QJA,CHA2266-99F,CHS2411-QDG,CHV1206A98F,CHA8352-99F,CHA3218-99F,CHR2295-99F,CHA7455-99F,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA1077A98F,CHX2091-99F,CHA2193-99F,CHA3666-FAB,CHA3024-FDB,CHM1290-99F,CHA8610-99F,CHT4694-99F,CHM2378A99F,CHA6710-FAB,CHA2157-99F,CHU2277A98F,CHS7012-99F,CHA8254-99F,CHA2110-98F,CHA3023-99F,CHKA011ASXA,CHA3656-FAB,CHC3014-99F,CHA6262-99F,CHA8262-99F,CHKA012BSYA,CHM1270A98F,CHT4012-QDG,CHA2411-QDG,CHA6094-QKB,CHP3015-99F,CHE1260-98F,CHA4107-QDG,CHA3513-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA7114-99F,CHK8201-SYA,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHV2411AQDG,CHA3665-QAG,CHE1270-QAG,CHA2292-99F,CHT4660-FAB,CHV2240-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHC2442-QPG,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7215-99F,CHA6354-QQA,CHK8101A99F,CHA4102-QEG,CHA4220-98F,CHC6054-QQA,CHR2291-99F,CHS5105-QAG,CHA6653-98F,CHA6362-QXG,CHA6005-QEG,CHA2066-QAG,CHT4012A98F,CHV2243A99F,CHA8054-99F,CHZ9012-QFA,CHA6282-QCB,CHX2090-99F,CHA3689-99F,CHE1270A99F,CHR3894-QEG,CHA6194-QXG,EC2612-99F,CHR2296-99F,CHE1270A98F,CHA6356-QXG,CHA8612-QDB,CHM1298-99F,CHA6357-QKB,CHA8212-99F,CHA4220-QGG
氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程，助力MMIC设计，提供代工服务
UMS（United Monolithic Semiconductors）是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，法国公司Thales＆EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外，UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺，可为客户提供Foundry service。PH10、PH15、PH25是UMS推
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F，兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造，产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm，能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案，可运用于雷达和通信领域。
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计
UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器，工作频段可以达到0~5GHz，在CW波的工作条件下，最高输出功率典型值可以达到35W，线性增益典型值可以达到16dB。
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
【产品】附加效率高达76%的140W氮化镓功率放大器CHKA012a99F，适用于雷达系统、射频大功率应用
UMS 2019年推出了一款140W的氮化镓高电子迁移率功率晶体管CHKA012A99F。该产品能够为4GHz以下的大功率应用提供比较好的解决方案。采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，SIC衬底，输出功率可达140W，小信号增益达19dB，CHKA012A99F能够在高电压（50V）条件下工作，具有氮化镓器件的特有的高附加效率（高达76％）。
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品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
使用FloTHERM和Smart CFD软件，提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务，热仿真技术团队专业指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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