【产品】N沟道增强型MOS功率管RM220N85T7,采用先进的沟槽单元设计,结温不超过175℃

2023-02-08 丽正国际
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丽正国际推出的RM220N85T7-N沟道增强型MOS功率管,BV≥85V,采用先进的沟槽单元设计,湿气敏感性等级一级,是变频器件等领域的理想选择。

特征:

BV≥85V;ID≤220A

Ptot≤250W

RDS(ON)≤2.8mΩ @ VGS=10V

表面贴装式封装

超沟槽-屏蔽栅沟槽技术

结温不超过175℃

先进的沟槽单元设计

湿气敏感性等级一级(MSL1)

无卤    


应用领域:

电子工具

BMS电源管理

大功率逆变系统

变频器


订购信息:

限值:

电气性能:


额定值与特征曲线:


TO-263-7L封装:


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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