【产品】N沟道增强型MOS功率管RM220N85T7,采用先进的沟槽单元设计,结温不超过175℃
丽正国际推出的RM220N85T7-N沟道增强型MOS功率管,BV≥85V,采用先进的沟槽单元设计,湿气敏感性等级一级,是变频器件等领域的理想选择。
特征:
BV≥85V;ID≤220A
Ptot≤250W
RDS(ON)≤2.8mΩ @ VGS=10V
表面贴装式封装
超沟槽-屏蔽栅沟槽技术
结温不超过175℃
先进的沟槽单元设计
湿气敏感性等级一级(MSL1)
无卤
应用领域:
电子工具
BMS电源管理
大功率逆变系统
变频器
订购信息:
限值:
电气性能:
额定值与特征曲线:
TO-263-7L封装:
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品牌:丽正国际
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