【产品】600V/20A N沟道超级结MOSFET PJMF190N60E1,最大漏源导通电阻为190mΩ

2022-04-16 PANJIT
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强茂(PANJIT)推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFETPJMF190N60E1,在TA=25℃的条件下,其漏源电压为600V,连续漏极电流为20A(TC=25℃),最大漏源导通电阻为190mΩ(VGS=10V, ID=9.5A)。它具有高速开关和低导通电阻、无铅产品、符合RoHS 2.0标准和IEC 61249标准等特点,适用于PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、服务器、UPS。

产品外观和示意图

特点:

    漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为190mΩ(VGS=10V)

    易于使用和驱动

    高速开关,低导通电阻RDS(ON) 

    100%雪崩测试

    100%Rg测试

    无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准

    绿色环保塑封,符合IEC 61249标准


机械数据:

    外壳:ITO-220AB-F封装

    端子:可焊性符合MIL-STD-750标准(方法2026)

    重量约为:0.068 盎司,2 克


应用:

    PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、服务器、UPS


最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明):

热特性:

电气特性(TA=25℃,除非特别说明):

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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