【产品】600V/20A N沟道超级结MOSFET PJMF190N60E1，最大漏源导通电阻为190mΩ

时间： 2022-04-16 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF190N60E1，在T_A=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为20A（T_C=25℃），最大漏源导通电阻为190mΩ（V_GS=10V, I_D=9.5A）。它具有高速开关和低导通电阻、无铅产品、符合RoHS 2.0标准和IEC 61249标准等特点，适用于PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、服务器、UPS。

产品外观和示意图

特点：

漏源导通电阻R_DS(ON) 最大值为190mΩ（V_GS=10V）

易于使用和驱动

高速开关，低导通电阻R_DS(ON)

100%雪崩测试

100%Rg测试

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：ITO-220AB-F封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.068 盎司，2 克

应用：

PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、服务器、UPS

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非特别说明）：

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