【经验】650V GaN FET INN650D02在PD快充上两种驱动方式的优劣势对比
英诺赛科推出的650V GaN FET INN650D01/INN650D02，区别于MOSFET产品，GaN的驱动电压以及速度等问题有较大的差异，下面主要介绍英诺赛科INN650D02产品在PD快充上不同驱动形式的对比：
GaN的Vgs开通阈值电压为2.4V，建议的驱动电压为5.5V-6.5V，通常选取的电压为6V。PD快充产品中通常使用ON 的控制IC NCP1342，控制输出电压为12V，需要将12V 转换为6V，有两种方式转换：
（1）使用电阻电容分压电路
NCP1342 DRV高电平输出（12V） R2、R2、C1构成的分压电路，Cgs电容较小，很快被充电至Vgsth值，C1电容值推荐680pF至1nF之间。
（2）使用驱动IC FAN3111E
驱动IC FAN3111E当VDD值设置为6V时，输出电压也为6V，输出信号IN+电压值不能超过VDD值，需要R5/R7进行分压。C4的工作是减小由于输入端寄生电容导致的驱动信号失真。
两种驱动方式对比：
电阻电容分压方式可靠性不高，如果设计产品对于品质要求较高不建议采用，推荐驱动IC方案，对于GaN高速驱动，驱动IC不论是驱动速度，驱动信号稳定性都有较大优势。同时可以减小产品驱动信号PCB layout设计难度。
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