【选型】1200V 75mΩ SiC MOSFET C3M0075120K 高频应用需求首选,损耗降低3倍

2019-01-02 世强
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工业产品技术发展越来越成熟,高频小型化成为新的发展趋势,随着sic产品技术额成熟以及普及,越来越多的产品中考虑使用sic MOSFET来设计,但工程师们经常会在使用sic mos设计驱动时,由于开关频率过快,驱动设计不合理导致驱动震荡,sic mos失效,驱动设计成为sic器件设计的难点。


随着新一代电源开关的速度越来越快,封装和电路板寄生元件的影响越来越限制系统的整体性能。克服这一问题的有效措施是,提供到源极的附加连接 (开尔文连接),其用作栅极驱动电压的参考电势,从而消除电压降对源极电感的影响。WOLFSPEED推出第三代sic mos产品C3M0075120K,自带独立驱动源引脚(又称开尔文源极引脚)的TO-247-4封装,驱动设计更简单可靠。


  图1     标准TO-247封装与TO-247 4PIN封装对比


一、标准TO-247封装 SiC MOSFET缺点

1、寄生源极电感抵消驱动电压;

2、瞬变变慢导致效率降低。


二、TO-247 4PIN封装 SiC MOSFET优势

1、分离引脚“源极感测”(开尔文源极),向驱动器传送未受干扰的信号;

2、开关损耗最高降低 3 倍

(1)效率更高

(2)应用中的成本降低潜力


通过上述对比C3M0075120K相比于TOP247封装sic mos驱动控制设计简单,产品可靠性更高,完全满足当前产品设计趋势。


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