【选型】1200V 75mΩ SiC MOSFET C3M0075120K 高频应用需求首选，损耗降低3倍

时间： 2019-01-02 来源：世强

技术问答

工业产品技术发展越来越成熟，高频小型化成为新的发展趋势，随着sic产品技术额成熟以及普及，越来越多的产品中考虑使用sic MOSFET来设计，但工程师们经常会在使用sic mos设计驱动时，由于开关频率过快，驱动设计不合理导致驱动震荡，sic mos失效，驱动设计成为sic器件设计的难点。

随着新一代电源开关的速度越来越快，封装和电路板寄生元件的影响越来越限制系统的整体性能。克服这一问题的有效措施是，提供到源极的附加连接 (开尔文连接)，其用作栅极驱动电压的参考电势，从而消除电压降对源极电感的影响。WOLFSPEED推出第三代sic mos产品C3M0075120K，自带独立驱动源引脚（又称开尔文源极引脚）的TO-247-4封装，驱动设计更简单可靠。

图1 标准TO-247封装与TO-247 4PIN封装对比

一、标准TO-247封装 SiC MOSFET缺点

1、寄生源极电感抵消驱动电压；

2、瞬变变慢导致效率降低。

二、TO-247 4PIN封装 SiC MOSFET优势

1、分离引脚“源极感测”（开尔文源极），向驱动器传送未受干扰的信号；

2、开关损耗最高降低 3 倍

（1）效率更高

（2）应用中的成本降低潜力

通过上述对比C3M0075120K相比于TOP247封装sic mos驱动控制设计简单，产品可靠性更高，完全满足当前产品设计趋势。

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优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,CREE,NIPPON CHEMI-CON,MEIG,RENESAS,VINCOTECH,WOLFSPEED,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V1.2 PDF 中文下载