【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ
无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。
图1 产品外观、封装及内部电路
4款N沟道MOEFET对应封装信息：
图2 产品对应封装
4款N沟道MOSFET特点：
•开关速度快
•100%雪崩测试
•改进的dv/dt能力
4款N沟道MOSFET 应用：
•开关模式电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
4款N沟道MOSFET极限参数：
图3 4款N沟道MOSFET最大额定值
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由往事随风翻译自无锡紫光微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快
无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-08-01
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
新产品 发布时间 : 2020-03-12
【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H，100%雪崩测试
无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。
新产品 发布时间 : 2019-10-25
【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC
美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
产品 发布时间 : 2022-11-04
【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET，漏源电压650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC）
TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC），耗散功率最大120W，工作结温-55~+150℃，具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。
新产品 发布时间 : 2020-12-13
【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装
无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-09
【产品】TMA5N70H~TMU5N70H系列700V N沟道MOSFET，脉冲漏极电流可达20A
TMA5N70H,TMD5N70H,TMU5N70H是无锡紫光微推出的系列700V N沟道MOSFET。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2020-10-09
【产品】TMA18N20HG~TMP18N20HG系列200V N沟道MOSFET，连续漏极电流可达18A
TMA18N20HG,TMD18N20HG和TMP18N20HG是无锡紫光微推出的系列200V N沟道MOSFET。系列MOSFET符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2020-10-24
【产品】漏源电压650V，漏极电流7A的N沟道MOSFET，具有四种封装形式
TMA7N65HYG，TMP7N65HYG ，TMD7N65HYG和TMU7N65HYG是四款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流7A（TC=25ºC），耗散功率最大97W，工作结温-55~+150℃，具有四种封装TO-220F，TO-220，TO-252和TO-251可供选择，该款MOSFET具有开关速度快和开关损耗小，频率特性好的特点。
新产品 发布时间 : 2020-11-28
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论