【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ

时间： 2020-09-28 来源：无锡紫光微

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N沟道MOSFET,TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

图1 产品外观、封装及内部电路

4款N沟道MOEFET对应封装信息：

图2 产品对应封装

4款N沟道MOSFET特点：

•开关速度快

•100%雪崩测试

•改进的dv/dt能力

4款N沟道MOSFET 应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

4款N沟道MOSFET极限参数：

图3 4款N沟道MOSFET最大额定值

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全部评论（1）

ACE Lv8. 研究员 2020-09-28

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