【产品】1200V/20A Booster拓扑结构的IGBT功率模块10-PZ123BA080ME-M909L18Y

时间： 2019-11-13 来源：Vincotech

技术问答

全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的10-PZ123BA080ME-M909L18Y IGBT功率模块，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为20A。且该产品为Booster拓扑结构和采用高速SiC-MOSFET技术，且具有用于改善开关性能的开尔文发射极，专为太阳能逆变器和电源应用设计。

图1 10-PZ123BA080ME-M909L18Y产品图

10-PZ123BA080ME-M909L18Y功率模块基本模块信息：

零件号：10-PZ123BA080ME-M909L18Y

产品系列：flow3xBOOST 0 SiC

产品状态：批量生产

击穿电压：1200V

标称芯片额定电流：20A

标准包装数量：135

10-PZ123BA080ME-M909L18Y产品详情：

拓扑结构：Booster

用于改善开关性能的开尔文发射极

三相升压器

集成直流电容器

温度传感器

芯片技术（主开关）：SiC MOSFET

具有低漏源导通电阻的高阻断电压

高速SiC-MOSFET技术

抗闩锁

基板隔离绝缘材料（例如陶瓷）：Al₂O₃

电气互连：压接引脚

外壳相关细节

模块外壳：flow 0

与PCB的机械连接方式：2个夹子

封装尺寸：68.4mm x32.5mm

高度：12mm

夹入式，可靠的机械连接，符合波峰焊接要求

凸形基板，具有良好的热接触性

无PCB孔损坏，可重复使用

与PCB可靠的冷焊连接

热机械推拉应力释放

10-PZ123BA080ME-M909L18Y应用领域：

太阳能逆变器

电源

10-PZ123BA080ME-M909L18Y订购信息：

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全部评论（3）

承毅 Lv8. 研究员 2019-11-14

学习
橙橙 Lv4. 资深工程师 2019-11-14

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风yu Lv7. 资深专家 2019-11-14

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