【产品】1200V/20A Booster拓扑结构的IGBT功率模块10-PZ123BA080ME-M909L18Y
全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的10-PZ123BA080ME-M909L18Y IGBT功率模块，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为20A。且该产品为Booster拓扑结构和采用高速SiC-MOSFET技术，且具有用于改善开关性能的开尔文发射极，专为太阳能逆变器和电源应用设计。
图1 10-PZ123BA080ME-M909L18Y产品图
10-PZ123BA080ME-M909L18Y功率模块基本模块信息：
零件号：10-PZ123BA080ME-M909L18Y
产品系列：flow3xBOOST 0 SiC
产品状态：批量生产
击穿电压：1200V
标称芯片额定电流：20A
标准包装数量：135
10-PZ123BA080ME-M909L18Y产品详情：
拓扑结构：Booster
用于改善开关性能的开尔文发射极
三相升压器
集成直流电容器
温度传感器
芯片技术（主开关）：SiC MOSFET
具有低漏源导通电阻的高阻断电压
高速SiC-MOSFET技术
抗闩锁
基板隔离绝缘材料（例如陶瓷）：Al2O3
电气互连：压接引脚
外壳相关细节
模块外壳：flow 0
与PCB的机械连接方式：2个夹子
封装尺寸：68.4mm x32.5mm
高度：12mm
夹入式，可靠的机械连接，符合波峰焊接要求
凸形基板，具有良好的热接触性
无PCB孔损坏，可重复使用
与PCB可靠的冷焊连接
热机械推拉应力释放
10-PZ123BA080ME-M909L18Y应用领域：
太阳能逆变器
电源
10-PZ123BA080ME-M909L18Y订购信息：
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承毅 Lv8. 研究员 2019-11-14学习 -
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橙橙 Lv4. 资深工程师 2019-11-14学习了 -
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风yu Lv7. 资深专家 2019-11-14了解
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