【产品】TO-220F封装的N沟道功率MOSFET RM50N200TI，漏源电压可达200V
RM50N200TI是丽正国际推出的TO-220F封装N沟道功率MOSFET，漏源电压可达200V，RDS(ON) 典型值28mΩ @ VGS=10V ，连续漏极电流可达51A（Tc=25℃）， 脉冲漏极电流150A，耗散功率214W，存储和工作温度范围-55 to +175℃。该器件开关速度快，100%通过UIS测试。适合于开关电源，硬开关，高速电路，UPS等应用。
封装及电路图
特性
高速功率开关
增强的体二极管dv/dt能力
100%通过UIS测试
增强的雪崩稳固性
无铅镀层
无卤素
应用
在SMPS中进行同步整流
硬开关和高速电路
电源工具
不间断电源
电机控制
绝对最大定值@Tj=25℃（除非另有说明）
包装及订购信息
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