【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列产品助力基站电源解决方案，全面提升器件的开关特性和导通特性
随着移动通信网络业务向数据化、分组化方向发展，移动通信基站的发展趋势也必然是宽带化、大覆盖面建设及IP化。市场对于基站电源的应用需求也是逐渐提高，其中，通信功率转换系统的性能改善源于高压 MOSFET 导通电阻的降低，为了可实现当前高要求的均衡型能效目标，市场也在不断追求性能更加优异的MOSFET。
新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。
目前，针对全桥、半桥、LLC谐振开关等应用，Super-Junction MOSFET推出了优化体二极管特性的650V TF系列，使其在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供更大的余量。同时为您提供TO-263、TO-252、 TO-220. TO-220F. TO-247在内的多款封装外形选择。
图 1
推荐产品
●PFC:
SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET&SJ-IV NF MOSFET :VDS=650V Ron@10V（max）=41mΩ-140mΩ
表 1 500-1050V N MOSFET
●LLC:
SJ-III TF MOSFET：VDS=650V Ron@10V（max）=41mΩ-140mΩ
表 2
●同步整流：
N-channel SGT-II MOSFET&N-channel SGT-I MOSFET： VDS=40V-85V Ron@10V（max）＜10mΩ 封装形式DFN、TOLL
表 3
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NCE（新洁能）MOSFET 选型表
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
|
VGS(th)(V)
|
CISS(pF)
|
QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
|
工业级
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Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
|
11.5
|
18
|
14
|
22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
30V/395A N-Channel Super Trench II Power MOSFET NCEP008N30GU with the Most Efficient High Frequency Switching Performance
The NCEP008N30GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
150V/180A N-Channel Super Trench Power MOSFET NCEP15T18T with An Extremely Low Combination of RDS(ON) and Qg
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