【产品】漏源电压700V的N沟道超结功率MOSFET管，通过100%雪崩测试
CWS70R430A是武汉芯源推出的一款漏源电压为700V的N沟道超结功率MOSFET管。超结型MOSFET管是一种先进的高压功率MOSFET技术，根据P&S的超结原理。所提供的设备具有：快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于以下应用：需要更高效、更紧凑的LED照明，高性能适配器等。
特征：
由于Rdson*Qg非常低，损失极低
卓越的雪崩加固技术
快速切换能力
100%雪崩测试
无铅电镀；符合ROHS标准
应用：
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
订购信息：
绝对最大额定值
（Tj=25℃，除非另有说明）
热特性
电气特性
（Tj=25℃，除非另有说明）
(开放的漏极）
动态特性
（Tj=25°C，除非另有说明）
栅极电荷特性
（Tj=25°C，除非另有说明）
反向二极管特性
（Tj=25°C，除非另有说明）
Note
1.受最大结温限制；
2.受最大结温限制的脉冲宽度；
3.IAS=5.5 A，VDD=50 V，RG=25Ω，启动温度TJ=25℃。
电气特性图
图1.安全操作区 图2.瞬态热阻抗
ID=f(VDS); Tc=25℃;参数 tp Z(thJC)=f(tp); 参数: D=tp/T
图3.典型输出特性 图4.典型传输特性
ID=f(VDS); Tj=25℃; 参数: VGS ID=f(VGS); VDS=20V
图5漏极-源极导通电阻 图6.漏极-源极击穿电压
RDS(ON)=f(Tj); ID=5.5A; VGS=10V VBR(DSS)=f(Tj); ID=250μA
图7.反向二极管的正向特性 图8.典型栅极电荷
IF=f(VSD); 参数: Tj VGS=f(Qgate ), ID=5.5A 脉冲
图9：典型电容 图10：雪崩能量
C=f(VDS); VGS=0; f=1MHz EAS=f(Tj); ID=5.5A; VDD=50V
测试电路
开关时间测试电路
反向二极管特性测试电路及波形
无箝位感应开关测试电路和波形
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|
产品型号
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品类
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漏极电流ID Max（A）
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漏源耐压 VDSS Min（V）
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导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)
|
导通电阻 RDS(on) Max（Ω)
|
栅极电阻 Rg（Ω)
|
栅极电荷 Rg（nC）
|
反向恢复时间 Trr（nS）
|
封装
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CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
|
8.9
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215
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TO-220F-3L
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选型表 - 武汉芯源 立即选型
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