【产品】漏源电压700V的N沟道超结功率MOSFET管，通过100%雪崩测试

时间： 2022-08-20 来源：武汉芯源

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N沟道超结功率MOSFET管,CWS70R430A,CWS70R430AC,CWS70R430AF

CWS70R430A是武汉芯源推出的一款漏源电压为700V的N沟道超结功率MOSFET管。超结型MOSFET管是一种先进的高压功率MOSFET技术，根据P&S的超结原理。所提供的设备具有：快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于以下应用：需要更高效、更紧凑的LED照明，高性能适配器等。

特征：

由于R_dson*Qg非常低，损失极低

卓越的雪崩加固技术

快速切换能力

100%雪崩测试

无铅电镀；符合ROHS标准

应用：

功率因数校正（PFC）

开关电源（SMPS）

不间断电源（UPS）

高性能适配器

LED照明电源

订购信息：

绝对最大额定值

（T_j=25℃，除非另有说明）

热特性

电气特性

（T_j=25℃，除非另有说明）

(开放的漏极）

动态特性

（T_j=25°C，除非另有说明）

栅极电荷特性

（T_j=25°C，除非另有说明）

反向二极管特性

（T_j=25°C，除非另有说明）

Note

1.受最大结温限制；

2.受最大结温限制的脉冲宽度；

3.I_AS=5.5 A，V_DD=50 V，R_G=25Ω，启动温度T_J=25℃。

电气特性图

图1.安全操作区图2.瞬态热阻抗

I_D=f(V_DS); Tc=25℃;参数 t_p Z(_thJC)=f(t_p); 参数: D=t_p/T

图3.典型输出特性图4.典型传输特性

I_D=f(V_DS); T_j=25℃; 参数: V_GS I_D=f(V_GS); V_DS=20V

图5漏极-源极导通电阻图6.漏极-源极击穿电压

R_DS(ON)=f(T_j); I_D=5.5A; V_GS=10V V_BR(DSS)=f(T_j); I_D=250μA

图7.反向二极管的正向特性图8.典型栅极电荷

I_F=f(V_SD); 参数: T_j VGS=f(Q_gate), I_D=5.5A 脉冲

图9：典型电容图10：雪崩能量

C=f(V_DS); V_GS=0; f=1MHz E_AS=f(Tj); I_D=5.5A; V_DD=50V

测试电路

开关时间测试电路

反向二极管特性测试电路及波形

无箝位感应开关测试电路和波形

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