【产品】用于高速开关的100V/250mA硅开关二极管CMPD914,反向恢复时间仅为4.0ns
Central Semiconductor (简称Central)公司是美国中央半导体公司,半导体产品处于世界领先水平,其运营团队提供最高水平的技术支持,出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅高速开关二极管——CMPD914,采用外延平面工艺制造,采用SOT-23封装,采用环氧树脂模塑,表面贴装封装,专为高速响应开关应用而设计。其产品实物图如图1所示。
图1.CMPD914 硅开关二极管产品实物图
CMPD914 硅开关二极管的峰值重复反向电压VRRM为100V, 反向连续电压VR为75V,其反向电流IR的最大值为25nA(VR=20V),连续正向电流IF为250mA,具有低反向电流和较高的反向耐压能力。其系列功率损耗PD的最大值为350mW,功率损耗值极低。当正向电流IF为10mA时,正向压降VF的最大值仅为1.0V。可用于高速开关类应用。其封装尺寸、引脚说明图如图2所示。
图2.CMPD914硅开关二极管封装尺寸、引脚说明图
CMPD914 硅开关二极管的峰值正向浪涌电流IFSM为4.0A(tp=1.0us),峰值正向浪涌电流IFSM为2.0A(tp=1.0ms),具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流IFRM为250mA,结壳热阻为357°C/W,结电容的最大值为4.0pF(VR=0, f=1.0MHz)。工作和存储结温范围均为-65℃~+150℃,具有耐高/低温的能力,适应性能强,在恶劣的环境条件下也可正常工作,这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短,反向恢复时间trr最大值为4.0ns(IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)。另外,CMPD914 硅开关二极管的耗散功率对环境温度较为敏感,功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求,可参考功率-温度曲线(功率降额曲线),通过相应的坐标值,方便产品的设计。具体功率降额曲线如图3所示。
图3.CMPD914 硅开关二极管功率降额曲线
CMPD914 硅开关二极管的主要特性:
•峰值重复反向电压VRRM为100V
•反向连续电压VR为75V
•正向浪涌电流能力IFSM为4.0A(tp=1.0us)
•正向浪涌电流能力IFSM为2.0A(tp=1.0ms)
•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃
•结壳热阻ΘJA为357°C/W
•功率损耗PD为350mW
•结电容的最大值为4.0pF(VR=0, f=1.0MHz)
•反向恢复时间trr的最大值为4.0ns(IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)
•SOT-23表面贴装封装
CMPD914 硅开关二极管的主要应用领域:
•高速响应开关
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