泰高240W氮化镓多口快充电源方案,相比单口充电器体积缩小20%
2022年7月13日,深圳市泰高技术有限公司(下称“泰高”)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签署代理协议,授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。
资料显示,泰高是一家国产氮化镓功率器件公司,主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。
随着多种更快、更小计算器件的不断涌现,硅材料已难以维持摩尔定律,加上市场对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长,使得半导体行业重新考虑半导体所用设计和材料。
其中,以氮化镓为代表的第三代半导体材料,在高温、高耐压以及承受大电流等多方面具备明显的优势。相比传统的硅基材料,氮化镓具有更高的功率密度和更稳定的性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
基于宽带隙、高热导率的特点,氮化镓快充具有充电效率高、散热快、体积小巧等明显优势,已成为众多终端厂商的一大卖点。
为了满足市场对氮化镓充电器的需求,泰高最新推出了一款高达240W的氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案。该方案采用了新一代氮化镓方案,PCBA三围尺寸为75.8*59.4*29.6mm³,大小与苹果61W单口充电器相比,体积缩小20%,支持三口同时快充输出,并适配市面上常见的快充协议。
值得一提的是,泰高实现了国内首家针对240W的氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案中,功率密度超过1.75W/cm³的参考设计,按照额定输出功率240W计算,功率密度高达1.8W/cm³,已经在国家级实验室里通过EMI/EMC测试,并且有足够余量,能直接提供PCBA给终端品牌客户生产,缩短品牌客户开发产品周期。
据了解,240W的氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案能够显著减小大功率电源体积,很大部分得益于内置了四颗泰高TP44100SG氮化镓电源场效应管。
该产品采用QFN5*7mm²封装技术,耐压高达650V,可以在不需要外部供电VCC的情况下,由12V PWM控制器或者内置的6V氮化镓驱动的PWM控制器直接驱动。同时该产品还具有高击穿电压和高可靠性,提高效率和功率密度的同时降低系统成本。
除电源功率芯片外,泰高的产品线还覆盖以氮化镓、碳化硅和砷化镓为半导体材料制成的射频开关、功率放大器和低噪声放大器,技术处于国际领先水平。
目前,泰高最新产品均已上线世强先进的电商平台——世强硬创,搜索“泰高”即可获取产品技术资料,还可申请免费样品。
因为氮化镓比硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量,电动汽车、5G数据库、新能源等行业都有望在未来逐渐用氮化镓代替硅芯片进行充电,市场前景广阔。对于此次合作,泰高希望能跟世强先进有深入的配合,包括在元器件的推广、方案设计和线上商城等多方面合作,从而实现双方互赢。
良好的供应保障和研发服务不断吸引着原厂选择世强硬创,作为全球领先的硬件研发及供应平台,目前世强硬创代理原厂已经超过500家,累计为2万+电子制造企业提供创新研发服务。
泰高(Tagore)主要从事基于第三代半导体氮化镓基及碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售,泰高技术所研发的氮化镓芯片已经被超过 60 家以上的欧美国际大公司广泛采用,是世界上第一家同时具备氮化镓、碳化硅及砷化镓芯片工艺技术创新解决方案的公司。 查看更多
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泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南
描述- 2021年成立于中国深圳,主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售,其芯片设计中心位于美国芝加哥,产品应用中心位于中国深圳与厦门。
型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件,器件阈值电压提高约60%
能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓(GaN)技术,较常规产品来说,其阈值电压(VTH)提高约60%。
签约新闻 发布时间 : 2024-06-21
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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