【技术】相较于Si MOSFET，GaN FET可实现更高的频率开关特性以及更高效率特性

时间： 2019-09-27 来源：世强

氮化镓主要是氮和镓的化合物。目前英诺赛科的氮化镓主要是采用si做衬底，氮化镓主要是通过GaN和AlGaN之间以及它们之间的二维电子气形成DGS三极之间的开关特性（图1）。

图1：氮化镓的结构示意图

GaN技术主要是相对于Si MOSFET能实现更高的频率开关特性以及更高效率特性的场效应晶体管。

GaN与Si MOSFET的特性相比：

1：同样的晶圆面积下，GAN的导通电阻基本是Si的一半左右。因此同样的Die下，氮化镓的导通电阻更低，对应的导通损耗就更低。这也相当于同样的导通电阻下，使用氮化镓材料的晶体管晶圆面积将更小。

2：我们通过表1的实际产品为例，英诺赛科的GaN FET 650V/110mΩ（INN650D01）和200mΩ（INN650D02）的GaN的Qg分别是2.2nC和1.5nC，氮化镓的Qg是相当于Si MOSFET的1/10。Qg非常小，开通需求的能力需求就更低，GaN的开关频率可以做得更高，应用时可减小系统体积。

表1：英诺赛科（Innoscience）的:GaN产品INN650D01和INN650D02

3：英诺赛科的650V130mΩ和200mΩ的氮化镓的Qoss分别是20nC和13nC，也相当于同样的导通电阻下的硅mosfet的1/10，Qoss小，设计时的死区可以更小，同时负电流也更低，对应的变压器磁损和铜损可以减少30%~40%。

基于上述三点特性，当Si MOSFET器件被开发到极致时，GaN技术相对于Si MOSFET，能实现更高的功率密度和更高效率特性的场效应晶体管技术。

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全部评论（14）

用户72252848 Lv4. 资深工程师 2020-02-17

学习
maomao Lv8. 研究员 2020-02-17

不错的资料~~~
天蚕兔兔 Lv7. 资深专家 2020-02-16

学习
小黄鱼 Lv7. 资深专家 2020-02-16

学习
硬件技术 Lv6. 高级专家 2020-02-16

学习

冷锋 Lv7. 资深专家 2020-02-15

学习
丝雨 Lv8. 研究员 2020-02-15

学习了
用户33601407 Lv7. 资深专家 2020-02-15

学习了
用户56731903 Lv9. 科学家 2020-02-14

学习一下！！！
ACE Lv8. 研究员 2020-02-14

好东西

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