【产品】采用TO-220AB-L封装的N沟道超级结MOSFET PJMP130N65EC，最大漏源导通电阻为130mΩ

2022-04-12 PANJIT
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强茂（PANJIT）推出一款采用TO-220AB-L封装的N沟道超级结MOSFET—PJMP130N65EC，其漏源电压为650V（TA=25℃），连续漏极电流为29A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为130mΩ（VGS=10V, ID=10.8A）。该超结MOSFET具有高速开关和低导通电阻等特性，并通过100%雪崩测试、100% Rg测试，适用于PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS。

产品外观和示意图

特点：

    漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为130mΩ（VGS=10V）

    易于使用和驱动

    高速开关，低导通电阻RDS(ON) 

    100%雪崩测试

    100% Rg测试

    无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

    绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


机械数据：

    外壳：TO-220AB-L 封装

    端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

    重量约为：0.0739 盎司，2.0948 克


应用：

    PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS


最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性（TA=25℃，除非特别说明）：



技术顾问：叶子
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道：世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • 豆芽 Lv8. 研究员 2023-02-17
    学习
  • WilberTse Lv6. 高级专家 2022-04-13
    学习学习!
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