【产品】采用TO-220AB-L封装的N沟道超级结MOSFET PJMP130N65EC，最大漏源导通电阻为130mΩ

时间： 2022-04-12 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用TO-220AB-L封装的N沟道超级结MOSFET—PJMP130N65EC，其漏源电压为650V（T_A=25℃），连续漏极电流为29A（T_C=25℃），最大漏源导通电阻为130mΩ（V_GS=10V, I_D=10.8A）。该超结MOSFET具有高速开关和低导通电阻等特性，并通过100%雪崩测试、100% Rg测试，适用于PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS。

产品外观和示意图

特点：

漏源导通电阻R_DS(ON) 最大值为130mΩ（V_GS=10V）

易于使用和驱动

高速开关，低导通电阻R_DS(ON)

100%雪崩测试

100% Rg测试

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：TO-220AB-L 封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.0739 盎司，2.0948 克

应用：

PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性（T_A=25℃，除非特别说明）：

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豆芽 Lv8. 研究员 2023-02-17

学习
WilberTse Lv6. 高级专家 2022-04-13

学习学习!

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