【产品】采用TO-220AB-L封装的N沟道超级结MOSFET PJMP130N65EC，最大漏源导通电阻为130mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-220AB-L封装的N沟道超级结MOSFET—PJMP130N65EC，其漏源电压为650V（TA=25℃），连续漏极电流为29A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为130mΩ（VGS=10V, ID=10.8A）。该超结MOSFET具有高速开关和低导通电阻等特性，并通过100%雪崩测试、100% Rg测试，适用于PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS。
产品外观和示意图
特点：
漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为130mΩ（VGS=10V）
易于使用和驱动
高速开关，低导通电阻RDS(ON)
100%雪崩测试
100% Rg测试
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
外壳：TO-220AB-L 封装
端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0739 盎司，2.0948 克
应用：
PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
热特性：
电气特性（TA=25℃，除非特别说明）：
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