【选型】超薄封装硅材料增强型MOSFETS，适用于高速脉冲放大器和驱动器设计

CP373-CMPDM303NH、CP773-CMPDM302PH和CP764X-CMPDM8002是三款由Central  (美国中央半导体) 公司推出的硅材料增强型MOSFETS。其中CP373-CMPDM303NH为N沟道增强型，CP773-CMPDM302PH和CP764X-CMPDM8002是P沟道增强型。三者都具有较低的导通电阻和较低的结电容容量，不仅兼有体积小、耗电省等特点，还有输入阻抗高、噪声低等优点，适合应用于高速脉冲放大器和驱动器设计。

首先，CP373-CMPDM303NH型 N沟道增强型MOSFETS，拥有着超薄的封装尺寸，可节省电路板设计空间。封装尺寸为39*27 mils (0.99*0.69 mm)，其厚度也薄至7.5 mils (0.19 mm)。正面的栅极焊盘尺寸仅有6.5*6.5 mils (0.165*0.165 mm)，同在正面源极焊盘为33*21 mils (0.83*0.53 mm)。

CP373-CMPDM303NH在环境温度25°C时电气特性如下：正反向漏极短路时截止栅电流IGSSF,IGSSR 都为10μA(VGS=12V，VDS=0)，饱和漏源电流IDSS为1μA( VGS=20V，VDS=0)，最小的漏源击穿电压BVDSS为30V (VGS=0，ID=250μA)。该MOSFET在VGS=VDS，ID=250μA测试条件下的阀值电压VGS(th)在0.6~1.2V之间。当ID=1.8A时，在VGS分别为4.5V，2.5V的条件下MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗rDS(ON)分别为40mΩ和78mΩ，具有较小的导通电阻。该管在VDS=5V，ID=1.8A跨导gFS为11.8S。关于该管的寄生电容特性，在VGS=10V，VDS=0，f=1MHz的测试条件下，其米勒电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss分别为55pF，590pF，50pF。在VDD=10V，VGS=4.5V，ID=3.6A的测试条件下，其栅极总充电电量Qg(tot)，栅源充电电量Qgs，栅漏充电电量Qgd分别为13nC，1.4nC，2.7nC。在VDD=10V，VGS=4 V，ID=3.6A，RG=10Ω的测试条件下，导通延迟时刻ton和关断延迟时刻toff分别为15ns和29ns，具有较快的响应速度。

图1 CP373-CMPDM303NH产品封装图片       图2 CP373-CMPDM303NH输出特性      图3 CP373-CMPDM303NH传输特性

图4 CP373-CMPDM303NH结电容特性     图5 CP373-CMPDM303NH漏源电阻特性  图6 CP373-CMPDM303NH归一化功率降额

关于CP773-CMPDM302PH型号 P沟道增强型MOSFETS，其外部机械封装特性与CP373-CMPDM303NH完全一致，不再赘述。

在环境温度25°C的条件下， CP773-CMPDM302PH 型P沟道增强型MOSFETS 和CP373-CMPDM303NH的静态参数类似。最大栅源电压VGS为12V，可承受的最大漏源电压VDS为30V。正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流ID为2.4A。当tp=10μs时，其最大脉冲漏源电流承受值IDM=9.6A。该P沟道增强型MOSFETS保存温度与结温允许工作范围都是-55°~+150°C，能够满足一般的工业应用场合。

CP773-CMPDM302PH在环境温度25°C时的电气特性，其正反向漏极短路时截止栅电流IGSSF,IGSSR 都为100nA (VGS=12V，VDS=0),其饱和漏源电流IDSS为1μA ( VGS=20V，VDS=0),最小的漏源击穿电压BVDSS为30V (VGS=0，ID=250μA)。该管在VGS=VDS，ID=250μA测试条件下的阀值电压VGS(th)在0.7~1.4V之间。当ID=1.2A时，在VGS分别为4.5V，2.5V的条件下MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗rDS(ON)分别为91mΩ和129mΩ，导通电阻较小。该管在VDS=5V，ID=2.4A跨导gFS为4.6S。关于该管的寄生电容特性，在VGS=10V，VDS=0，f=1MHz的测试条件下，其米勒电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss分别为69pF，800pF，62pF。在VDD=10V，VGS=4.5V，ID=2.4A的测试条件下，其栅极总充电电量Qg(tot)，栅源充电电量Qgs，栅漏充电电量Qgd分别为9.6nC，4.2nC，2.6nC。在VDD=10V，VGS=4 V，ID=3.6A，RG=10Ω的测试条件下，导通延迟时刻ton和关断延迟时刻toff分别为12ns和17ns，响应速度较快。

图7 CP773-CMPDM302PH产品封装图片       图8 CP773-CMPDM302PH输出特性      图9 CP773-CMPDM302PH传输特性

图10 CP773-CMPDM302PH结电容特性   图11 CP773-CMPDM302PH漏源电阻特性  图12 CP773-CMPDM302PH归一化功率降额

CP764X-CMPDM8002型P沟道增强型MOSFET的封装相较于CP773-CMPDM302PH则更为精巧。整管尺寸21.7*17.7 mils (0.55*0.45mm)，其厚度也薄至5.5 mils (0.14 mm)。正面的栅极焊盘尺寸仅有4.7*4.7 mils (0.12*0.12 mm)，同在正面源极焊盘为6.1*7.9 mils (0.154*0.2 mm)。顶部是由铝硅系合金镶边，背面分别由金材质镶边。该管切割缝隙的线宽为2.76 mils (0.07 mm)， 是由6英寸硅晶圆切割工艺制造而成，其单片晶圆的芯片数能够达到62600。

在环境温度25°C的条件下，CP764X-CMPDM8002型 P沟道增强型MOSFETS 相较于CP773-CMPDM302PH有更优异的耐压特性。最大栅源电压VGS为20V，可承受的最大漏源电压VDS为50V，可承受的最大漏源电栅VDG为50V。正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流ID为280mA，体二极管接连最大续流电流(从源极)IS为280mA。其最大脉冲漏源电流承受值IDM=1.5A，脉冲最大续流电流(从源极)ISM=1.5A。该P沟道增强型MOSFETS保存温度与结温允许工作范围都是-65°~+150°C，能够满足一般的工业应用场合。

关于CP764X-CMPDM8002在环境温度25°C时的电气特性，其正反向漏极短路时截止栅电流IGSSF,IGSSR 都为100nA (VGS=20V，VDS=0)，其饱和漏源电流IDSS为1μA ( VGS=50V，VDS=0),最小的通态漏极电流ID(ON)为500mA(VGS=10V，VDS=10V)，最小的漏源击穿电压BVDSS为50V (VGS=0，ID=10μA)。该管在VGS=VDS，ID=250μA测试条件下的阀值电压VGS(th)在1.0~2.5V之间。当VGS=10V，ID=500mA和VGS=5V，ID=50mA，该管的漏源通态电压VDS(ON) 分别为1.5V，0.15V。该MOSFET的正向导通压降VSD等于1.3V（VGS=0V，IS=115mA）。 该管导通时漏源间的最大阻抗rDS(ON)分别为91mΩ（VGS=10V，IS=500mA）和129mΩ（VGS=5V，IS=50mA），导通电阻较小。该管在VDS=10V，ID=200mA条件下跨导gFS为200mS。关于该管的寄生电容特性，在VGS=25V，VDS=0，f=1MHz的测试条件下，其米勒电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss分别为7pF，70pF，15pF，结电容参数远低于CP773-CMPDM302PH，高频特性更好。在VDD=25V，VGS=4.5V，ID=100mA的测试条件下，其栅极总充电电量Qg(tot)，栅源充电电量Qgs，栅漏充电电量Qgd分别为0.72nC，0.25nC，0.16nC。在VDD=10V，VGS=4 V，ID=3.6A，RG=25Ω，RL=150Ω的测试条件下，导通延迟时刻ton和关断延迟时刻toff都为20ns。

图13 CP764X-CMPDM8002产品封装图片       图14 CP764X-CMPDM8002输出特性      图15 CP764X-CMPDM8002传输特性

图16 CP764X-CMPDM8002结电容特性   图17 CP764X-CMPDM8002漏源电阻特性  图18 CP764X-CMPDM8002归一化功率降额