【选型】超薄封装硅材料增强型MOSFETS，适用于高速脉冲放大器和驱动器设计
CP373-CMPDM303NH、CP773-CMPDM302PH和CP764X-CMPDM8002是三款由Central (美国中央半导体) 公司推出的硅材料增强型MOSFETS。其中CP373-CMPDM303NH为N沟道增强型，CP773-CMPDM302PH和CP764X-CMPDM8002是P沟道增强型。三者都具有较低的导通电阻和较低的结电容容量，不仅兼有体积小、耗电省等特点，还有输入阻抗高、噪声低等优点，适合应用于高速脉冲放大器和驱动器设计。
首先，CP373-CMPDM303NH型 N沟道增强型MOSFETS，拥有着超薄的封装尺寸，可节省电路板设计空间。封装尺寸为39*27 mils (0.99*0.69 mm)，其厚度也薄至7.5 mils (0.19 mm)。正面的栅极焊盘尺寸仅有6.5*6.5 mils (0.165*0.165 mm)，同在正面源极焊盘为33*21 mils (0.83*0.53 mm)。
CP373-CMPDM303NH在环境温度25°C时电气特性如下：正反向漏极短路时截止栅电流IGSSF,IGSSR 都为10μA(VGS=12V，VDS=0)，饱和漏源电流IDSS为1μA( VGS=20V，VDS=0)，最小的漏源击穿电压BVDSS为30V (VGS=0，ID=250μA)。该MOSFET在VGS=VDS，ID=250μA测试条件下的阀值电压VGS(th)在0.6~1.2V之间。当ID=1.8A时，在VGS分别为4.5V，2.5V的条件下MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗rDS(ON)分别为40mΩ和78mΩ，具有较小的导通电阻。该管在VDS=5V，ID=1.8A跨导gFS为11.8S。关于该管的寄生电容特性，在VGS=10V，VDS=0，f=1MHz的测试条件下，其米勒电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss分别为55pF，590pF，50pF。在VDD=10V，VGS=4.5V，ID=3.6A的测试条件下，其栅极总充电电量Qg(tot)，栅源充电电量Qgs，栅漏充电电量Qgd分别为13nC，1.4nC，2.7nC。在VDD=10V，VGS=4 V，ID=3.6A，RG=10Ω的测试条件下，导通延迟时刻ton和关断延迟时刻toff分别为15ns和29ns，具有较快的响应速度。
图1 CP373-CMPDM303NH产品封装图片 图2 CP373-CMPDM303NH输出特性 图3 CP373-CMPDM303NH传输特性
图4 CP373-CMPDM303NH结电容特性 图5 CP373-CMPDM303NH漏源电阻特性 图6 CP373-CMPDM303NH归一化功率降额
关于CP773-CMPDM302PH型号 P沟道增强型MOSFETS，其外部机械封装特性与CP373-CMPDM303NH完全一致，不再赘述。
在环境温度25°C的条件下， CP773-CMPDM302PH 型P沟道增强型MOSFETS 和CP373-CMPDM303NH的静态参数类似。最大栅源电压VGS为12V，可承受的最大漏源电压VDS为30V。正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流ID为2.4A。当tp=10μs时，其最大脉冲漏源电流承受值IDM=9.6A。该P沟道增强型MOSFETS保存温度与结温允许工作范围都是-55°~+150°C，能够满足一般的工业应用场合。
CP773-CMPDM302PH在环境温度25°C时的电气特性，其正反向漏极短路时截止栅电流IGSSF,IGSSR 都为100nA (VGS=12V，VDS=0),其饱和漏源电流IDSS为1μA ( VGS=20V，VDS=0),最小的漏源击穿电压BVDSS为30V (VGS=0，ID=250μA)。该管在VGS=VDS，ID=250μA测试条件下的阀值电压VGS(th)在0.7~1.4V之间。当ID=1.2A时，在VGS分别为4.5V，2.5V的条件下MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗rDS(ON)分别为91mΩ和129mΩ，导通电阻较小。该管在VDS=5V，ID=2.4A跨导gFS为4.6S。关于该管的寄生电容特性，在VGS=10V，VDS=0，f=1MHz的测试条件下，其米勒电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss分别为69pF，800pF，62pF。在VDD=10V，VGS=4.5V，ID=2.4A的测试条件下，其栅极总充电电量Qg(tot)，栅源充电电量Qgs，栅漏充电电量Qgd分别为9.6nC，4.2nC，2.6nC。在VDD=10V，VGS=4 V，ID=3.6A，RG=10Ω的测试条件下，导通延迟时刻ton和关断延迟时刻toff分别为12ns和17ns，响应速度较快。
图7 CP773-CMPDM302PH产品封装图片 图8 CP773-CMPDM302PH输出特性 图9 CP773-CMPDM302PH传输特性
图10 CP773-CMPDM302PH结电容特性 图11 CP773-CMPDM302PH漏源电阻特性 图12 CP773-CMPDM302PH归一化功率降额
CP764X-CMPDM8002型P沟道增强型MOSFET的封装相较于CP773-CMPDM302PH则更为精巧。整管尺寸21.7*17.7 mils (0.55*0.45mm)，其厚度也薄至5.5 mils (0.14 mm)。正面的栅极焊盘尺寸仅有4.7*4.7 mils (0.12*0.12 mm)，同在正面源极焊盘为6.1*7.9 mils (0.154*0.2 mm)。顶部是由铝硅系合金镶边，背面分别由金材质镶边。该管切割缝隙的线宽为2.76 mils (0.07 mm)， 是由6英寸硅晶圆切割工艺制造而成，其单片晶圆的芯片数能够达到62600。
在环境温度25°C的条件下，CP764X-CMPDM8002型 P沟道增强型MOSFETS 相较于CP773-CMPDM302PH有更优异的耐压特性。最大栅源电压VGS为20V，可承受的最大漏源电压VDS为50V，可承受的最大漏源电栅VDG为50V。正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流ID为280mA，体二极管接连最大续流电流(从源极)IS为280mA。其最大脉冲漏源电流承受值IDM=1.5A，脉冲最大续流电流(从源极)ISM=1.5A。该P沟道增强型MOSFETS保存温度与结温允许工作范围都是-65°~+150°C，能够满足一般的工业应用场合。
关于CP764X-CMPDM8002在环境温度25°C时的电气特性，其正反向漏极短路时截止栅电流IGSSF,IGSSR 都为100nA (VGS=20V，VDS=0)，其饱和漏源电流IDSS为1μA ( VGS=50V，VDS=0),最小的通态漏极电流ID(ON)为500mA(VGS=10V，VDS=10V)，最小的漏源击穿电压BVDSS为50V (VGS=0，ID=10μA)。该管在VGS=VDS，ID=250μA测试条件下的阀值电压VGS(th)在1.0~2.5V之间。当VGS=10V，ID=500mA和VGS=5V，ID=50mA，该管的漏源通态电压VDS(ON) 分别为1.5V，0.15V。该MOSFET的正向导通压降VSD等于1.3V（VGS=0V，IS=115mA）。 该管导通时漏源间的最大阻抗rDS(ON)分别为91mΩ（VGS=10V，IS=500mA）和129mΩ（VGS=5V，IS=50mA），导通电阻较小。该管在VDS=10V，ID=200mA条件下跨导gFS为200mS。关于该管的寄生电容特性，在VGS=25V，VDS=0，f=1MHz的测试条件下，其米勒电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss分别为7pF，70pF，15pF，结电容参数远低于CP773-CMPDM302PH，高频特性更好。在VDD=25V，VGS=4.5V，ID=100mA的测试条件下，其栅极总充电电量Qg(tot)，栅源充电电量Qgs，栅漏充电电量Qgd分别为0.72nC，0.25nC，0.16nC。在VDD=10V，VGS=4 V，ID=3.6A，RG=25Ω，RL=150Ω的测试条件下，导通延迟时刻ton和关断延迟时刻toff都为20ns。
图13 CP764X-CMPDM8002产品封装图片 图14 CP764X-CMPDM8002输出特性 图15 CP764X-CMPDM8002传输特性
图16 CP764X-CMPDM8002结电容特性 图17 CP764X-CMPDM8002漏源电阻特性 图18 CP764X-CMPDM8002归一化功率降额
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panjit(强森)公司生产的N沟道增强型MOSFET— PJD40N04，导通电阻最大12mΩ（VGS=10V，ID=20A），并具有高开关速度和合适的电气参数值，适合做为车窗电机的驱动电路主功率器件。
应用方案 发布时间 : 2019-07-31
【产品】漏极电流高达150A的中压N沟道增强型场效应管，最高耐温175°C，适用于DC-DC转换器
YJB150N06C为扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率中压MOSFET技术，漏源电压60V，漏极电流150A，适合中压电路。已100%通过UIS和▽VDS测试，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、工业和电机驱动应用等相关领域。
新产品 发布时间 : 2021-02-04
【产品】低损耗的N沟道双通道场效应管，能达到2KV的静电保护
Central公司推出了一款专为高速脉冲放大器和驱动器应用而生的半导体场效应管--CMLDM3737。CMLDM3737是N沟道增强型硅场效应管，导通阻抗很低，它有能达到2KV的静电保护
新产品 发布时间 : 2017-11-03
【产品】采用SC-89封装的P沟道增强型MOSFET AM1013，极限漏源电压为-20V
AiT推出的AM1013是P沟道增强型MOSFET，采用SC-89封装，在环境温度为 25℃时，AM1013可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±6V，在稳定工作状态下，可以承受的极限漏极连续电流为-350mA，可用于驱动器,电池供电系统,电源转换器电路,负载/电源切换手机、寻呼机等。
新产品 发布时间 : 2019-09-12
【应用】双N沟道增强型MOSFET CMLDM7005在PoE安全摄像头云台电机中的应用
Central Semiconductor公司生产的CMLDM7005硅双N沟道增强型MOSFET，最大额定漏源电压20V，最大额定漏极电流ID为650mA，并具有超低导通电阻和超低的栅极驱动电压，适合作为云台电机的驱动电路的主功率器件。
应用方案 发布时间 : 2019-06-27
【产品】拥有0.15Ω低导通电阻的增强型P沟道MOSFET，阈值电压最大为0.85V
CMLDM8120TG是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型P沟道MOSFET，其具有较低的rDS（ON），阈值电压最大值为0.85V。该产品采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
新产品 发布时间 : 2018-06-23
【应用】N沟道增强型MOSFET 2N7002 TR PBFREE在智能机器人中的应用
作为控制驱动器的MOS开关，它的开关速度极为重要。这里，为大家带来Central Semi (美国中央半导体公司)推出的2N7002 N沟道增强型MOSFET，该MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造，采用小型SOT-23表面贴装封装
应用方案 发布时间 : 2019-03-29
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
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