【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S,最高工作温度175℃

2020-12-12 UnitedSiC
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UnitedSiCSiC FET碳化硅场效应晶体管)采用了独特的“共源共栅(cascode)”电路配置,将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起,从而构建出常关型SiC FET器件。该器件具有标准栅极驱动特性,能够真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件;采用TO-247-3L封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,与推荐的RC缓冲电路一起使用时,可开/关电感性负载,此外也适用于任何需要标准栅极驱动的应用。

UnitedSiC的UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET,典型导通电阻为80mΩ,最高工作温度可达175℃,适合电动汽车充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热应用。


产品特点

· 典型导通电阻:80 mΩ

· 最高工作温度:175℃

· 出色的反向恢复特性

· 栅极电荷低

· 本征电容低

· ESD防护等级:HBM class 2

· 极低的开关损耗(典型工作条件下,所需的RC缓冲电路的损耗可忽略不计)


典型应用

· 电动汽车充电

· 光伏逆变器

· 开关模式电源

· 功率因数校正模块

· 电机驱动

· 感应加热


最大额定值


热阻


静态电气特性(TJ=+25℃,除非另有说明)


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UnitedSiC SiC FET User Guide

型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

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