【应用】Power Integrations高性能隔离驱动器SID1182K在10kV高压变频器中的应用
10kV高压变频器采用单元级联型拓扑方式,功率转换电路由24或27个功率单元组成,每8或9个功率单元串联构成一相, 形成4N+1阶梯PWM波(N=8或9),三相Y接,直接输出10kV。图1为高压变频器框图:
图1、10kV高压变频器框图
其中,单个功率单元的输入为三相690VAC,输出单相交流电压。如图2所示:
图2、功率单元框图
图2所示的10kV高压变频器功率单元,输入电压为690VAC,经三相不控整流电路后得到直流母线电压1000V左右,然后经过H桥逆变得到交流电压。隔离驱动作为IGBT与MCU之间的桥梁,承担着信号传输和电气隔离的重要作用。为了满足1000V直流母线的电气隔离功能,对隔离驱动芯片的绝缘耐压和电气间隙提出了很高的要求。
PI推出的高性能隔离驱动SID1182K具有加强绝缘性能,在芯片内原副方电路之间填充固体绝缘材料,绝缘性能稳定且使用寿命长久。其原副边爬电距离可达9.5mm,具有业界最高的相对漏电起痕指数(CTI=600),符合Ⅰ类绝缘材料标准。其爬电距离可满足950V(有效值)工作电压下的加强绝缘。表格1给出了SCALE-IDriver相对于传统驱动IC的性能参数,可以看到,PI的SID1182K相对于竞争对手的驱动IC,其爬电距离、CTI、工作电压等参数都更加优异。
表1、SCALE-IDriver相对于传统驱动IC的性能参数
由以上分析可知,PI的SCALE-IDriver驱动IC SID1182K内部填充足够距离的固体绝缘材料,可以保证在IGBT出现炸机的情况下,绝缘层不被损坏,从而实现高压功率单元与低压控制单元的可靠隔离,保护人身安全。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由zyliuliu提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】驱动电流高达2.5A的光耦隔离驱动器PS9402-V-E3-AX可对SVG系统上的PWM信号进行功率放大
SVG无功补偿装置,在其控制器和高压大功率电子开关(如IGBT)之间,需要具有一定驱动能力和隔离性能的驱动芯片来实现对主控制器输出的PWM信号进行功率放大。这里结合该系统的需求,介绍了RENESAS的光耦隔离驱动器PS9402-V-E3-AX相关优势特性,供读者参考。
应用方案 发布时间 : 2023-05-24
【应用】基于SID1182K电流隔离驱动芯片的通用基板方案,适用于通用驱动器和IGBT电源模块
Power Integrations推出的基于SID1182K电流隔离驱动芯片应用方案提供了用于驱动各种IGBT电源模块的通用基板的电路设计解决方案,特别适合通用驱动器,UPS等应用。
应用方案 发布时间 : 2019-11-01
【应用】SID11x2K系列大门极电流隔离驱动芯片在45kW伺服驱动器中的应用
对于伺服驱动器驱动单元,本文推荐使用Power Integrations(PI)的SID11x2K系列大门极电流隔离驱动芯片,该系列属于SCALE-iDrive系列,其中SID1152K最大峰值电流5A,可直接驱动的IGBT电流300A,可达45kW的功率段;SID1182K的最大门级电流为8A,是业内首款带有加强的电流隔离的8A(最高)IGBT驱动IC。
应用方案 发布时间 : 2019-08-08
数明半导体(Sillumin)隔离器件和门极驱动器选型指南
目录- 公司简介 隔离器件、门极驱动选型表 隔离器件介绍 单通道隔离驱动器 双通道隔离驱动器 带保护功能隔离驱动器 数字隔离器 HVIC门极驱动器 应用领域
型号- SLMI77XX系列,SLM27511,SLM2003E,SLM27512,SLM2003S,SLMI8273,SLM2104S,SLMI8232,SLMI8233,SLMI8230,SLMI8274,SLM2108S,SLMI8231,SLMI8275,SLMI7740,SLMI5320,SLMI7742,SLMI8234,SLMI7741,SLMI8235,SLM345,SLMI77XX,SLM346,SLMI776X,SLM2110,SLMI330,SLM2752X,SLM7888,SLMI772X,SLMI334,SLMI333,SLMI332,SLMI331,SLMI137,SLMI335,SLM27524,SLM27525,SLMI772X系列,SLM2181,SLM27523,SLMI776X系列,SLM2101S,SLM341,SLM2004S,SLM343,SLM340,SLMI827X系列,SLM21814,SLMI823X系列,SLMI33X系列,SLMI5952,SLM27517,SLM21XX,SLM2186,SLM2184S,SLM27519,SLM2304S,SLM27211,SLM20XX系列,SLM2005S,SLMI23514,SLM2106S,SLMI7760,SLMI7762,SLMI7761,SLMI7720,SLMI827X,SLMI7763,SLMI7721,SLMI823X,SLM34X,SLMI774X,SLM2005E,SLMI7769,SLMI350,SLM21XX系列,SLM2015,SLM2136,SLM2106B,SLM21867,SLM2014,SLMI33X,SLMI774X系列,SLM34X系列,SLM21364,SLM2103S,SLM2009,SLMI5852,SLM2001S,SLM20XX,SLM2751X
芯进(CrossChip)磁传感器/隔离/驱动/IC选型指南
型号- CC6103E,CC6203,CC6201,CCI8741EHS,CC6115B,CC6402A,CCH477,INK1102,INK1105,CCI8740EH5WH,CCI8740EL3WH,INK1101,CC6213,CC6401E,CC6212,CC6207E,CC6210,CC8110,CC6130B,CC6207M,CC6211E,CCI8742ELS,CC6102R,CC6401S,CCI8741EL3WH,CC6209,CC6206,CCH477E,CC6207,CCI8741,CC6204,CCI8741EH5WH,CC8108,CCH477G,CC6205,CC6103,CC6104,CC6500,CCH890,CC6101,CC6102,CC6105B,CC6921B,CC7031,CCH891,CC6105R,CC6215,CCI8740ELS,CCI8742EL3WH,CC6115,CC6511,CC6112,CC6111,CC6403A,CC6920B,CCI8742EH5WH,CCI8332-2L8W,CC6201E,CC6905,CC6906,CC6903,CC6404A,CC6904,CC6902,CC6503,CC6504,CC6900,CC6105,CC6501,CC6502,CC6401,CC6121,CCI8741ELS,CC1108,CCI8740EH3WH,CCI8740EL5WH,CC6407C,CC6411,CC6533,CC6412,CC6531,CCI8742EHS,CC6410,CC6130,CC6925,CCI8741EL5WH,CC6926,CC6409,CC6923,CC6924,CC6407,CC6921,CCI8741EH3WH,CC6404,CC6922,WS2801,CC6402,CC6920,CC6403,CC6422,CC6541,CC6420,CC6421,CC6533B,INK1003,CC6419,CC6538,CC6417,CC6418,CC6536,CC6415,CC6537,CC6416,CC6930,CC6413,CCH284,CCI8740EHS,CC6411A,CC6430,CC6407E,CC6407S,CCI8742EH3WH,CCI8742EL5WH,CC74ACT244,CC74ACT245
【产品】高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器AG2136,助力三相逆变器的设计
AiT推出的AG2136是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三组独立的高边和低边输出通道,可用于电机控制、空调、洗衣机、通用变频器以及微型/小型逆变器驱动器的设计中。
新产品 发布时间 : 2019-05-11
新能源汽车电机控制器中IGBT,芯片,电容未来的技术发展趋势?
新能源汽车电机控制器,未来会朝着高功率密度、低损耗、高效率的方向发展。对于具体的器件应用: 1)IGBT使用最新一代晶圆,采用先进的的封装工艺,实现更低的开关和导通损耗。代表产品为Vincotech的E3系列模块; 2)电驱控制器高度集成,功率密度高。需要使用耐高温、纹波承受能力强的薄膜电容,代表产品为WIMA DC-LINK MKP 4系列; 3)IGBT驱动芯片需要集成饱和压降检测、软关断功能,且需要较强的驱动能力。代表产品为PI的Idriver系列。 相关资料可以在世强官网或者APP搜索。
技术问答 发布时间 : 2017-03-21
飞仕得(Firstack)IGBT驱动器选型指南
描述- 杭州飞仕得科技有限公司(Firstack)成立于2011年,专注于为客户带来高可靠性(High Reliability) 、高功率密度(High Power Density) 、智能化(High Intelligence)的功率单元整体解决方案。公司主要研究技术:IGBT数字驱动器方案、IGBT/SiC串并联技术、IGBT状态监控与寿命预测、结温提取与预测;功率单元的健康管理与实时状态监控,新一代封装技术及高密度模组集成,智能功率单元测试设备。
型号- 6A62-3L-NR,ED-WP-ANPC-FF1800R17IP5,MBN1200H45E2-H,GD400FFX65P3S,TIM1000ECM33-PSA011,FF450R07ME4,VPOWERSIM,2MBI1400VXB-170E-50,ST1500GXH24,TG3000SW45ZC-P200,FF600R12ME4,2MBI600NXE-170-50,4FSC0210,2FSC300C17+,TIM1200ASM45,GD600HFL170C6S,FF450R33TE3,2MBI450VN-170-50,PM0538-N,5SNA1200G3301,FF900R12ME7_B11,CM800HC-66H,ED-WP,FPS008TI062IA001,FF600R17ME4,FZ1500R33HE3,2FSD0115+,TG600HF17M1-S300,5SND0500N330300,CM1500HC-66R,ED-WP系列,SGM400PB7B1TFM,5SNA1200G450350,1MBI1600U4C-170,YMIF1200-45,6FSC08110,ED0215,2MBI800XNE120-50,A0-VS122PA690M7-L759F70,FZ1500R33HL3,2FSD0420-EDC,2MBI800XNE-120-50,FF1000R17IE4,HV10110D,FZ1200R45KL3_B5,TG1000HF17H1-S300,ED0438E,2FSC0210H-DB,FF450R17ME4,FPI-2FSC0210H-DB-A5,SKM1400GB17R8,TG600HF12M1-S3A00,SEMIX603GB12E4P,2FSD0320T+,CM1200HC-66H,HMV10126,TIM1500ESM33-PSA012,F3L150R07W2E3_B11,SKM1000GB17R8,2MBI1400VXB-120P-54,CM450DX-24T1,2FSD0410-62C,CM300DX-34T,FPI-C-CORE-S-DB-A2,FF1800R12IE5,TIM1200ASM45-PSA011,300C17,HV1027P,5SNA1200E330100,F3L300R07PE4,1FSD08110,FF450R12ME4,FF1800R17IP5,FPS005TI062IA002,SKM300MLI066TAT,FZ2400R17HE4,SEMIX603GB12E4IP,5SNA1500E330305,CM1200HG-90R,2FSD0338,FS400R07A1E3,1MBI2400VD-170E,FF900R12ME7,FPI-C-CORE-S-DB-B3,FS-L-500,2MBI800U4G-120,FZ1600R17HP4,PM110TRP,GD300MLT60C2S,2FSC0410-SIC,2FSC1050,2FSC0435+,FF300R17KE4,APM0438-13H,GD1500SGL330A4S,ED64-2-E,FF1400R12IP4,HP1-39J-A,4FSC08110,PM124-ANPC,PM140,CM600DX-34T,ED-WP-FF1000R17IE4,CM1200DW-34T,1FSD215,PM0438IP5-245G,C-CORE,FF1400R17IP4,2MBI1400VXB-170P,TIM500GDM33-PSA011,TG400FF08S2-S3A00,2MBI600VN-170-50,2FSC0210L-DB,SK08110,FF1400R17IP4,SKM300GB17E4,PM124-NPC,GD450HF120C6S_G8
在设计一款50kW组串式光伏逆变器,功率模块采用160A/1200V的三电平模块,驱动采用PI的隔离驱动SID1152K,请介绍这款驱动的主要特点已经如何进行IGBT的可靠保护功能?
PI的隔离驱动SID1152K,其驱动电流可达5A,无需外加推挽电路,即可有效驱动这款160A的IGBT模块,可以有效节省BOM成本和PCB布板空间。同时该驱动 IC集成Vce检测和高级软关断功能,在IGBT发生短路故障时,可以有效保护IGBT不被损坏。
技术问答 发布时间 : 2018-05-31
在设计高压SVG功率单元时,IGBT模块驱动使用PI IDriver系列SID11x2驱动芯片,为实现IGBT退饱和压降检测功能,需要实时检测Vce管脚压降,请问IDriver芯片如何实现该功能?
在高压、大电流IGBT模块应用环境中,Vce退饱和压降检测功能是必须的。在PI的IDriver系列芯片中集成了比较器,设置了比较电平为7.8V固定值,当IGBT发生退饱和现象后,在Vce压降上升至7.8V后,内部电平发生反转,关断门极驱动电平,保护IGBT不被损坏。
技术问答 发布时间 : 2017-07-02
【经验】IGBT驱动电路的软关断和有源钳位功能对比分析
IGBT的可靠驱动和保护在大功率变流器运行时至关重要,在IGBT驱动电路设计时通常会集成软关断和有源钳位功能,二者都可以有效降低IGBT的Vce电压尖峰,但其保护功能和应用环境有所差异,本文通过PI公司的隔离驱动SID1182K来对两种保护功能进行对比分析。
设计经验 发布时间 : 2019-05-09
2SP0115T2B0(C)-2MBI600XNG170-50 Compact, high-performance, plug-and-play dual-channel IGBT driver based on SCALE™-2 technology for individual and parallel-connected modules
型号- 2SP0115T2B0-2MBI600XNG170-50,2MBI600XNG170-50,2SP0115T2B0C-2MBI600XNG170-50,2SP0115T
【应用】电流高达8A的IGBT,驱动100Kw以上光伏逆变器
PI推出的即用型门极驱动SID11X2K有稳定门级电流输出,无需安装最小门极电阻。
新应用 发布时间 : 2017-03-03
2SC0535T2A1-33 and 2SC0535T2A1C-33 Dual-Channel SCALE™-2 IGBT Driver Core for 3300V IGBTs
型号- 2SC0535T2A1C-33,2SC0535T,2SC0535T2A1-33
在设计高压SVG功率单元时,驱动IGBT模块选用带退饱和压降检测功能的驱动光耦PS9402,该光耦的DESAT管脚应如何设置电路,才能保护该管脚不被损坏?
在使用带退饱和压降检测功能的光耦PS9402时,需要注意的地方是它的DESAT管脚容易受到外界高压和负压信号的损坏,所以需要使用一颗10V稳压管实 现正电压过压保护,以及并联一颗肖特基二极管,在出现负压时及时消除负压的损坏。
技术问答 发布时间 : 2017-07-30
电子商城
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论