英诺赛科在国际功率半导体器件与集成电路会议发表关键文章，持续体现在氮化镓的行业领导力

时间： 2022-06-06 来源：英诺赛科

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2022年5月22日至25日， (International Symposium on Power Semiconductor Devices, ISPSD)在加拿大温哥华举办。英诺赛科作为一家致力于为全球能源生态系统提供高性能、低成本的硅基氮化镓解决方案的公司，在IEEE ISPSD峰会上发表了两篇关键文章。

第一篇文章题为《8英寸CMOS兼容制程平台制造的650V硅基氮化镓功率器件应用于高密度功率变换器的可靠性与寿命评估》。该文章系统性的评估了650V商用硅基氮化镓HEMT在高密度PFC升压变换器中的可靠性与开关寿命。文章展示了英诺赛科研发团队通过引入英诺赛科的应力增强层(Strain Enhancement Layer, SEL)技术，实现了1000小时开关应力测试下动态电阻上升小于1.2倍，并且进一步在晶圆级应力测试系统中得到了验证。对于未使用到SEL的对比样品，在3小时的应力测试中动态电阻上升了18倍，其退化趋势显著加剧。通过对器件在开关应力下进行原位发光监测，英诺赛科的研发团队发现了SEL能够抑制热电子注入效应，其被认为是未使用到SEL技术样品的动态电阻上升的关键原因。最后，通过开关加速应力测试，得到了高达29年的寿命，满足了工业界的应用要求。

热电子发光现象：未使用到SEL技术器件(a) 350V, (b) 500V，使用到SEL技术器件(c) 350V, (d) 500V。(e)器件剖面图展示了热电子位置以及发光现象。

硬开关测试下(V_ds = 600 V, V_gs = 6V, and f_s = 100kHz)使用以及未使用到SEL技术的器件样品的动态电阻对比。

第二篇文章题为《零动态电阻与零动态阈值低开关优值15V高性能增强型氮化镓高电子迁移率晶体管应用于10MHz降压换流器下效率高达90%》。该文章主要讨论基于8英寸硅基氮化镓量产平台下的低开关优值的低压功率器件。尽管产业界、学术界对40V以下GaN功率器件在消费电子中投入了大量的精力及时间，但在实现中大规模应用上仍面临巨大挑战。其中主要挑战包括当器件尺寸缩小后，接触电阻和寄生电容的比例急剧增加；阈值电压的降低，会引发误导通；关断漏电流增加，导致较大的静态功耗；长期的静态与动态稳定性问题。这些都阻碍了低压GaN功率器件在体积越来越小的便携式电子设备中的广泛应用。

针对上述挑战与阻碍，英诺赛科展示了其InnoGaN器件在宽温度范围下具有耐受1000小时连续电压应力的能力，且各项参数偏移极低。同时，在连续的软开关和硬开关的模式下，具有接近零的动态电阻和动态阈值。基于该器件组成的半桥降压电路展示了优异的效率特性，在30MHz下效率高达80%以上，10MHz下效率高达90%。因此，该15V InnoGaN器件展示了GaN功率开关在高速高频降压电路中的潜在价值，以及其具备的长期系统动态稳定性。

（a）光学显微镜下15V GaN HEMT器件，其封装形式为晶圆级芯片级封装，寄生电感为数pH量级。

（b）制造的GaN HEMT器件的剖面图。

英诺赛科欧洲公司的总经理Denis Marcon博士评论到：“英诺赛科投稿到ISPSD这样被工业界广泛认可的IEEE重要会议的两篇文章包括了详细而全面的测试数据。我们希望此次会议的参与者能够认可英诺赛科在8英寸硅基氮化镓领域的领先能力，以及我们低压与高压氮化镓器件的优越特性和可靠性。”

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本文由董慧转载自英诺赛科，原文标题为:英诺赛科在国际功率半导体器件与集成电路会议发表两篇关键文章，持续体现在氮化镓的行业领导力，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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英诺赛科（Innoscience）——世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台

英诺赛科（Innoscience）创办于2015年12月，是第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。英诺赛科（Innoscience）主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化，并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线。

品牌简介发布时间 : 2019-01-16

英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

选型指南 - 英诺赛科 - 2022/11/15 PDF 中文下载

英诺赛科（Innoscience）公司及产品介绍

描述- 英诺赛科科技有限公司（Innoscience）是2015年12月由海归团队发起，并集合了数十名国内外精英联合创办的氮化镓半导体研发与生产的高科技企业。公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率器件以及射频器件。

商品及供应商介绍 - 英诺赛科 PDF 中文下载

【技术】GaN HEMT器件特性

硅基半导体经多年发展，性能逐渐接近极限。在进一步降本增效的背景下，第三代半导体——碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件被寄予厚望。GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）在900V以下应用场景中备受欢迎，可以有效提高开关频率，降低损耗以及提升产品功率密度。

技术探讨发布时间 : 2023-06-01

国产第三代半导体硅基氮化镓（GaN）功率器件上线，带来小体积、低成本PD快充方案

世强元件电商平台上线硅基氮化镓功率器件、射频器件等产品，可以提供小体积、低成本PD快充方案。

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【产品】英诺赛科新推40V双向GaN HEMT器件，导通电阻仅4.8mΩ，可用于智能手机充电保护

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【应用】GaN增强模式功率晶体管INN650D150A用于65瓦PD快充插头，导通电阻仅150毫欧

本文讲述的英诺赛科（Innoscience）主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率器件的研发与产业化，其最近推出的GaN产品INN650D150A，导通电阻Rds最大仅有150毫欧，其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求，并且有效提高功率密度及效率。

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代理英诺赛科世强元件电商可获取更多硅基氮化镓产品及5G射频器件

2018年底，世强增添多条产品线，由此进一步扩充磁性材料、纳米涂层材料、线路保护器件、功率和射频器件等相关产品线及服务。本次，与世强签约的，就包括建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线的英诺赛科。-关于英诺赛科-在2017年底，英诺赛科建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，并在非常短的时间内打破了国外知名半导体公司在氮化镓功率芯片设计和生产制造领域对中国市场、甚至全球市场

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