现货IGBT替换Fairchild仙童IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND

时间： 2018-06-27 来源：世强

技术问答

全球十大半导体芯片供应商之一——RENESAS瑞萨，推出的第八代IGBT单管RBN25H125S1FPQ-A0,RBN40H125S1FPQ-A0，采用最新一代技术G8H技术，电流规格高达75A，可PIN to PIN替换FAIRCHILD仙童 IGBT。具体型号为：FGH25T120SMD，FGL40N120AND。

Renesas瑞萨IGBT替换Fairchild仙童IGBT型号表：

Renesas瑞萨 IGBT	说明	Fairchild仙童IGBT
RBN25H125S1FPQ-A0	1250V 25A	FGH25T120SMD
RBN40H125S1FPQ-A0	1250V 40A	FGL40N120AND

在IGBT缺货热潮下，瑞萨一级代理商世强，已备有大量现货IGBT，供货有保障，交期快。同时还可提供相关数据手册、解决方案、样品支持和技术服务等。目前，世强提供的IGBT已获得大量客户验证认可，广泛应用于光伏,UPS，充电桩等电源市场。

Renesas瑞萨IGBT不仅可替换FAIRCHILD仙童 IGBT：FGH25T120SMD，FGL40N120AND，在产品性能上还有了极大提升，性价比高：瑞萨IGBT采用了独有65um超薄晶圆，整体产品可减少约15%的损耗；反向传输电容Cres降低了80%，从而抑制了开关噪声，同时可以有效改善Vge波形振铃。瑞萨IGBT更是业界首次实现，通过采用内置二极管和分离TO-247 plus的封装，来提高了电流承载能力，是TO-247的2倍，同时增加了20%的散热性能。

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型号- 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

选型指南 - SLKOR - 2022/10/9 PDF 中文下载

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V2.1 PDF 中文下载

【元件】瑶芯推出全新T系列IGBT单管，配备全电流快恢复二极管，大幅提高家电和工业设备效率

瑶芯推出全新650V S3平台T系列IGBT单管，产品针对短路耐量进行了专门的优化，并配备了全电流快恢复二极管。T系列IGBT单管凭借整体最佳的IGBT饱和电压和二极管正向电压性能，使系统具有更低的功耗和更好的热性能，是家电、工业电机驱动领域的最佳产品，包括UPS/PV和PFC在内的各种应用均适用。

产品发布时间 : 2024-10-17

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V1.1 PDF 中文下载

鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

原厂动态发布时间 : 2024-01-09

IGBT 单管&模块

型号- GKU50N65RF5,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM400HF120S4T1M,GKU20N65EH3,GKU40N65EH3,TGKU50N65DH3,GKU25N120ET2,GKU40N120RF5,GKU50N65ET,GKF20N65EH3,GM75HF120S2F2A,GM40FFB120C1T1,GKF07N65,GM400HF65S4T1A,TGKU40N120NH3,GKB20N65H3,GKD05N65,GM200SG65S1T1,GM100PI120C2T1X,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKU15N120H3,TGKU50N65ET,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM400HF65C3T1,GM150FFB120C2T1M,GM15PJ120E1T3A,GM300HF120S4T1M,GKB20N65EH3,TGKU40N120DT2,GM25PJ120E2T3A,TGKU65N65RF5,GKF06N65,GM10PJ120E1T3A,GKP20N65H3,GKU25N120DH3,GKU65N65RF5,GM100HF120S2F1B,GKU50N120EH3,GKU50N120CH3,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU50N65H3,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GKP20N65EH3,GKF05N65,GKU40N65DH3,GM50PI120C1T3A,GKU75N120EH3,GKU15N120ET2,GKF20N65H3,GKU20N65H3,GM40PI120C1T3A,GKU10N120T2,GM40HF120S2F2A,GKD07N65,TGKU75N65EH5,GKU50N65DH3,GM600HF65C3T1,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GM50HF120S2F2A,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,TGKU40N120ET2,GM600HF120C3T1M

选型指南 - 银河微电子 - 2024/6/26 PDF 中文下载