【产品】40V/3mΩ的eGaN FET EPC2055,尺寸2.5mm×1.5mm

2021-01-06 EPC
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EPC(宜普)推出的EPC2055是一款增强型氮化镓场效应晶体管eGaN FET),漏源电压40V,典型漏源导通电阻3mΩ,连续漏极电流29A,脉冲漏极电流161A。EPC2055仅以带有焊条的钝化芯片形式提供,芯片尺寸2.5mm×1.5mm。

氮化镓材料具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现较小的导通电阻(RDS(on)),横向器件结构和多数载流子二极管具有极低的栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷(QRR)。因此,该器件适合要求开关频率高、导通时间短的应用,以及对导通损耗有严格要求的应用。


产品优势

· 超高效率

· 零反向恢复

· 超低栅极电荷(QG

· 占板面积小


产品应用

· DC-DC转换器

· 隔离式DC-DC转换器

· 同步整流

· 12V~24V输入的高频(2MHz)超薄转换器

· 激光雷达

· USB-C电池充电器

· LED照明

· 12V~24V输入电机驱动器

 

最大额定值


静态特性(TJ=25℃,除非另有规定)

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技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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型号- EPC29215_55

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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晶体匹配测试

提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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