【产品】40V/3mΩ的eGaN FET EPC2055,尺寸2.5mm×1.5mm
EPC(宜普)推出的EPC2055是一款增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),漏源电压40V,典型漏源导通电阻3mΩ,连续漏极电流29A,脉冲漏极电流161A。EPC2055仅以带有焊条的钝化芯片形式提供,芯片尺寸2.5mm×1.5mm。
氮化镓材料具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现较小的导通电阻(RDS(on)),横向器件结构和多数载流子二极管具有极低的栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷(QRR)。因此,该器件适合要求开关频率高、导通时间短的应用,以及对导通损耗有严格要求的应用。
产品优势
· 超高效率
· 零反向恢复
· 超低栅极电荷(QG)
· 占板面积小
产品应用
· DC-DC转换器
· 隔离式DC-DC转换器
· 同步整流
· 12V~24V输入的高频(2MHz)超薄转换器
· 激光雷达
· USB-C电池充电器
· LED照明
· 12V~24V输入电机驱动器
最大额定值
静态特性(TJ=25℃,除非另有规定)
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
|
EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
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0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
|
20
|
3.4
|
28
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150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC 29215_55–增强型功率晶体管氮化镓®FET规格书
描述- 本资料详细介绍了EPC29215-55型号的eGaN® FET功率晶体管。该晶体管采用氮化镓技术,具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点,适用于高效能转换应用。
型号- EPC29215_55
增强型氮化镓技术
描述- 本文介绍了eGaN®技术,这是一种基于氮化镓(GaN)的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比,eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外,还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
型号- EPC2212,N/A,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC2100,EPC2067,EPC21701,EPC2221,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC7001,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC23104,EPC90140,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC21601,EPC2088,EPC7014,EPC90122,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC9186,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9051,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC9156,EPC21603,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。
用于汽车激光雷达的GaN器件可靠性测试,超越AEC,确保自主导航所需的性能和安全
本文将讨论由EPC开发的新颖测试机制,用于测试超出汽车电子理事会(AEC)对激光雷达特定用例资格要求的eGaN器件。测试表明,在典型汽车使用寿命内,eGaN器件在激光雷达应用中非常可靠,提供了必需的准确性和稳健性,确保了自主导航所需的性能和安全。
增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南
型号- EPC2212,EPC1001,EPC2214,EPC2034C,EPC2016C,EPC2019,EPC2030,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC2031,EPC2111,EPC2034,EPC2033,EPC8010,EPCXXXX,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC8009,EPC2104,EPC2202,EPC2001C,EPC2103,EPC2029,EPC2105,EPC2015C,EPC2206,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2100,EPC8004,EPC2022
【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。
【应用】采用eGaN FET EPC2045实现低成本高性能的DCDC设计
EPC2045是一款100V/7mΩ、电流能力高达16A的增强型氮化镓场效应晶体管。目前采用EPC2045的EPC9130的功率密度做到了1250W/in³,在成本上可以实现¥0.5/W以内的低成本设计。EPC2045相比于Si MOSFET,在损耗上优势也比较明显。在48V输入、12V/10A输出、驱动频率为500KHz的条件下,EPC2045可提供1.5%的更高效率。
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描述- 本文介绍了eGaN®技术,一种基于氮化镓(GaN)的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比,eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外,还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
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型号- EPC2088
电子商城
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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