专注宽禁带半导体研发、设计和产业化的派恩杰将作为白金合作伙伴出席CPEEC＆CPSSC 2022

时间： 2022-10-28 来源：派恩杰半导体公众号

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派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是全国领先的第三代半导体功率器件供应商。创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant.Baliga及晶闸管发明人Alex Huang，是碳化硅领域研发及应用不可多得的资深专家。

派恩杰半导体拥有深厚的技术积累和全面的产业链优势，已获得国内国际一流大厂的订单。派恩杰半导体的碳化硅MOSFET的设计水平处于行业前列，关键技术指标HDFM比肩全球领先大厂。

派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，能够为客户提供全方位的选择和技术支持。派恩杰半导体的量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为Tier 1厂商持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

重点产品推介

P3M12080K4

P3M12080K4是派恩杰半导体针对市场主流应用推出的1200V、80mOhm、TO247-4封装的碳化硅MOSFET分立器件，其参数与性能对标国际知名品牌产品，并且在功率器件关键参数HDFM领先行业内其他产品。同时，该产品的Cgs/Cgd也进行了优化设计，使其具有更强的抗干扰能力。

PAIA1250AM

PAIA1250AM是派恩杰半导体针对中等功率电力电子装置应用推出的一款1200V、13mOhm、Easy1B封装的碳化硅功率模块。该产品采用绝缘陶瓷DBC基板，既可以保证绝缘，也具有良好的散热能力。

PAAC12400CM

PAAC12400CM是派恩杰半导体针对电动汽车电驱系统将于近期推出的一款1200V，400A，HPD封装的三相全桥碳化硅功率模块。相比于传统的IGBT功率模块，该产品的开关损耗和导通损耗大幅度降低，可以显著提高电驱系统的轻载效率，大幅提高电动汽车的续航里程。同时，该产品采用PinFin基板，具有超强的散热性能，可以极大地简化电驱系统的机械设计。

2022.11月4-7日 CPEEC & CPSSC 2022简介
2022中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会（CPEEC&CPSSC 2022）将于2022年11月4日-7日在广州召开。大会旨在促进电力电子、能量转换与电源技术相关领域学术、技术交流，促进产、学、研的合作，促进相关产业及产业链的技术创新和进步。活动汇聚国内外电源领域知名专家学者、企业高层管理人员、研发科技人员、一线工程师以及在校研究生等专业人士，总结交流各领域的新技术、新成果、新产品、新方案，综合展示电源技术与产业的发展水平，探讨今后的发展方向。

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型号- G2M080120D7

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派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃