【产品】EPC新推三相无刷直流电机驱动逆变器EPC9173,缩小电动自行车和无人机的尺寸

2022-06-06 EPC
三相无刷直流电机驱动逆变器,浮动功率氮化镓场效应晶体管,硅基氮化镓集成电路,eGaN®集成电路 三相无刷直流电机驱动逆变器,浮动功率氮化镓场效应晶体管,硅基氮化镓集成电路,eGaN®集成电路 三相无刷直流电机驱动逆变器,浮动功率氮化镓场效应晶体管,硅基氮化镓集成电路,eGaN®集成电路 三相无刷直流电机驱动逆变器,浮动功率氮化镓场效应晶体管,硅基氮化镓集成电路,eGaN®集成电路

基于氮化镓器件的逆变器参考设计EPC9173无论是在尺寸、性能、续航里程、精度和扭矩方面,优化了电机系统且简化设计和加快产品推出市场的时间。大家可以把这种微型逆变器放进电机外壳中,从而把电磁干扰减到最小、实现最高的功率密度和最轻的重量。


宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9173,它是一款三相无刷直流电机驱动逆变器,采用具备嵌入式栅极驱动器功能的EPC23101 eGaN®集成电路和一个3.3mΩ导通电阻的浮动功率氮化镓场效应晶体管。EPC9173在20V和85V之间的输入电源电压下工作,峰值电流可高达50Apk(35ARMS)。这种电压范围和功率水平使该解决方案成为各种电机驱动应用的理想器件,包括电动自行车、滑板车、城市汽车、无人机和机器人。


EPC9173包含所有必要的关键功能电路,可支持整个电机驱动逆变器,包括栅极驱动器、用于辅助管理电源的稳压轨、电压和温度传感器、精确电流传感器和保护功能。


这些参考设计板展示了基于氮化镓器件的电机驱动的主要优势,包括小于30ns的死区时间以实现非常高的电机和逆变器系统总效率,从而实现更长的续航里程、更低的失真以降低声噪、更低的电流纹波以减少磁损耗、更低的扭矩纹波以提高精度,以及更低的滤波以降低成本。 


由于EPC9173解决方案的重量更轻和尺寸更小,因此可以将驱动器放进电机外壳,并且可以支持低电感、更高功率密度的电机。当配置为100kHz频率时,输入滤波器和电容器的数量可以大大减少,而且电路板可以省却电解电容器。


使用EPC23101硅基氮化镓集成电路可以在更小的佔板面积上实现更高的性能,大大降低产品的设计工程以快速上市。该解决方案可实现相位电流传感器和引脚分流电流传感器,以实现最大的灵活性。宜普电源转换公司提供的演示套件包括连接逆变器电路板和控制器电路板的接口板,以快速制作原型和缩短设计周期。


EPC9173的尺寸仅为130mm x 100mm(包括连接器)。这些板子还可以被配置为多相DC/DC转换拓扑结构,包括降压、升压、半桥、全桥或LLC转换器。


宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说:"设计人员可以使用氮化镓集成电路来实现用于eMotion、机械臂和无人机的更轻、更精确、用电池驱动的电机驱动器。氮化镓器件使电机系统可以更小、更轻、噪音更小、扭矩更大、实现更长的续航里程和精度更高。"


有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,世强会推荐合适的替代方案。交叉参考工具可在官网找到。


宜普电源转换公司(EPC)是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。


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EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V

产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

EPC(宜普)eGaN®FET与IC/开发板/演示板/评估套件选型指南

目录- eGaN FETs and Ics    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

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2023/11/28  - EPC  - 选型指南 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货 查看更多版本

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2024/1/16  - EPC  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET?

EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似,制造氮化镓器件的工艺步骤更少,以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管(特别是eGaN FET)跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似,功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。

2017-07-05 -  原厂动态 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

eGaN® FETs and ICs for Robotics and Drones

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2023/3/20  - EPC  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货 查看更多版本

eGaN® FETs and ICs for Time-of-Flight/Lidar APPLICATION BRIEF

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2024/3/7  - EPC  - 应用及方案 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货 查看更多版本

eGaN® FETs and ICs for Brushless DC (BLDC) Motors APPLICATION BRIEF

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eGaN® FETs and ICs for Drones

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面向无刷直流(BLDC)电机的 eGaN®FET和集成电路

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定制水冷板尺寸30*30mm~1000*1000 mm,厚度1mm~50mm,散热能力最高50KW,承压可达3MPA;液冷机箱散热能力达500W~100KW。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。

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Smart CFD热仿真

针对电子系统中的详细传热和流体流动模拟进行优化,可准确分析复杂的两相冷却组件(如热管/均热板),量化利用率,并警告是否干涸。

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