【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列,沟槽处理技术设计实现低导通电阻

2022-01-07 铨力半导体
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铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET,采用沟槽处理技术设计,实现尽可能低的导通电阻,它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ(VGS=2.5V,ID=0.5A)。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性,适用于各类负载开关应用。


AP1606的栅源电压VGS为±8V,连续漏极电流为0.7A(TC=25℃),漏极击穿电压V(BR)DSS为20V,最高结温TJ为150℃,存储温度范围在-50℃~+150℃之间,具有较强的环境适应性,可很好适应较宽温度范围的环境。


产品封装图及封装内部示意图如下:

 

产品特点:

●Ron(典型值) <210mΩ@VGS=2.5V

●Ron(典型值) <180mΩ@VGS=4.5V

●低导通电阻

●工作温度可达150℃(最高结温)

●快速开关

●无铅,符合RoHS标准

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