【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性，适用于各类负载开关应用。
AP1606的栅源电压VGS为±8V，连续漏极电流为0.7A（TC=25℃），漏极击穿电压V(BR)DSS为20V，最高结温TJ为150℃，存储温度范围在-50℃~+150℃之间，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
产品封装图及封装内部示意图如下：
产品特点：
●Ron（典型值） <210mΩ@VGS=2.5V
●Ron（典型值） <180mΩ@VGS=4.5V
●低导通电阻
●工作温度可达150℃（最高结温）
●快速开关
●无铅，符合RoHS标准
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