【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列,沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET,采用沟槽处理技术设计,实现尽可能低的导通电阻,它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ(VGS=2.5V,ID=0.5A)。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性,适用于各类负载开关应用。
AP1606的栅源电压VGS为±8V,连续漏极电流为0.7A(TC=25℃),漏极击穿电压V(BR)DSS为20V,最高结温TJ为150℃,存储温度范围在-50℃~+150℃之间,具有较强的环境适应性,可很好适应较宽温度范围的环境。
产品封装图及封装内部示意图如下:
产品特点:
●Ron(典型值) <210mΩ@VGS=2.5V
●Ron(典型值) <180mΩ@VGS=4.5V
●低导通电阻
●工作温度可达150℃(最高结温)
●快速开关
●无铅,符合RoHS标准
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
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45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
3N80Z 3A,800V N沟道功率MOSFET
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型号- 3N80Z,3N80ZL-TF1-T,3N80ZG-TN3-R,3N80ZG-TF1-T,3N80ZL-TN3-R
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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