【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性，适用于各类负载开关应用。
AP1606的栅源电压VGS为±8V，连续漏极电流为0.7A（TC=25℃），漏极击穿电压V(BR)DSS为20V，最高结温TJ为150℃，存储温度范围在-50℃~+150℃之间，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
产品封装图及封装内部示意图如下：
产品特点：
●Ron（典型值） <210mΩ@VGS=2.5V
●Ron（典型值） <180mΩ@VGS=4.5V
●低导通电阻
●工作温度可达150℃（最高结温）
●快速开关
●无铅，符合RoHS标准
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
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ID(A) Tc=25℃
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ID(A) Tc=100℃
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AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
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N
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20
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±8
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0.5-1.2
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-
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45/52
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52/67
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-
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2
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
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