派恩杰研发出全球Qgd*Rds(on)最小的SiC MOS，获2021年金翎奖车规级功率器件年度创新技术产品奖

时间： 2021-11-07 来源：派恩杰

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由疫情引发的汽车业“缺芯”危机仍在持续。据相关数据，2021年全球少了1000万辆，中国大概少交了300多万辆。在“芯片荒”的背景下，车企和芯片企业的关系正在发生变化，沟通更紧密。2021年11月4-5日举办的2021中国国际车规级功率半导体年会为车企和芯片企业搭起了一座沟通的桥梁。

会上，派恩杰半导体有限公司总裁黄兴被邀请分享了“双碳”目标下新能源汽车发展趋势以及全球碳化硅技术现状及发展趋势。同时，公司被授予2021年金翎奖-车规级功率器件器件年度创新技术产品奖。

作为国内为数不多的本土第三代半导功率器件的设计和方案提供商，派恩杰半导体所有的碳化硅功率器件产品都是以车规标准研发设计，并由30年车规历史的代工厂X-FAB生产制造。目前，派恩杰已经研发出了全球Qgd*Rds(on)最小的SiC MOS产品。

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zwjiang Lv9. 科学家 2021-11-13

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titan Lv8. 研究员 2021-11-13

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小小强 Lv4. 资深工程师 2021-11-11

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