【产品】-60V/-16A P沟道增强型MOSFET PJD16P06A，采用TO-252AA封装

2019-12-08 PANJIT
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PANJIT(强茂)推出了TO-252AA封装的PJD16P06A（-60V/-16A）P沟道增强型MOSFET。

图1 实物图和内部结构图


PJD16P06A P沟道增强型MOSFET特点：

•RDS(ON), VGS@-10V, ID@-8A<48mΩ

•RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4A<65mΩ

•开关速度快

•改进的dv/dt能力

•低栅极电荷

•低反向传输电容

•符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准

•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


PJD16P06A P沟道增强型MOSFET机械数据：

•外壳：TO-252AA封装

•端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

•重量约为：0.0104盎司，0.297克

表1 最大额定值

表2 电气特性

表3 订购信息


技术顾问：冷暖自知
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P沟道增强型MOSFET PJD16P06A PANJIT 管状电机

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VGS(V)
ID(A)
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
RDS(on) Max.(mΩ)10V
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ.(nC)10V
PJA3403_R1_00001
低压MOS
SOT-23
P
Single
-30V
12V
-3.1A
165mΩ
114mΩ
98mΩ
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-1.3V
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