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产品线覆盖广泛，威兆半导体MOS管被多款百瓦充电器采用
威兆半导体作为少数具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司，能根据厂商需求提供各种高性能、高效率的的器件。本文汇总中提到的4款MOS管效率极高、性能强悍，可以轻松满足厂商百瓦以上的快充输出需求，现如今已将斩获奥海、航嘉、小米、摩托罗拉等厂商的大量订单，产品质量饱经市场检验。
应用方案 发布时间 : 2023-12-07
【应用】威兆推出的新工艺MOSFET，工作稳定可靠，用于LEV（轻型电动车）可保证系统并联高均流性
LEV（轻型电动车）在日常通勤中越来越多，相应的技术也在不断更新，使得其输出功率也越来越大，这需要多个低内阻的功率器件并联来实现。威兆推出的新工艺MOSFET严格分档，具有极高的一致性，以保证系统并联高均流性，工作稳定可靠。
应用方案 发布时间 : 2023-01-09
【应用】低导通电阻VSP004N10MS-G MOS管用于快充充电器，Vds为100V，满足5V~20V同步整流输出电压
目前的GaN方案的快充功率来到了200W，普通的MOS管的方案在副边的同步整流里面依旧有广阔的应用市场，目前手机充电器内部的主流的拓扑结构为反激拓扑结构，副边会用MOS管来替代整流二极管来实现同步整流。威兆的VSP004N10MS-G适用于此场景。
应用方案 发布时间 : 2023-04-13
【产品】强茂新推650V/29A无铅N沟道超级结MOSFET PJMB130N65EC，TO-263封装
PANJIT采用TO-263封装的N沟道超级结MOSFET—PJMB130N65EC，TA=25℃条件下漏源电压650V，连续漏极电流29A，最大漏源导通电阻130mΩ。具有高速开关、低导通电阻、100%雪崩测试和100% Rg测试等特点。
产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】600V/11A无铅N沟道超级结MOSFET PJMF360N60E1，导通电阻低，易于使用驱动
强茂（PANJIT）采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF360N60E1，在TA=25℃条件下，其漏源电压600V，连续漏极电流11A，漏源导通电阻最大值360mΩ（VGS=10V，ID=3.8A）。
新产品 发布时间 : 2022-08-18
【产品】650V/29A N沟道超级结MOSFET PJMF130N65EC，最大漏源导通电阻130mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF130N65EC，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为650V，连续漏极电流为29A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为130mΩ（VGS=10V, ID=10.8A）。
新产品 发布时间 : 2022-04-07
【产品】600V/30A N沟道超级结MOSFET PJMF120N60EC，导通电阻最大值为120mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET PJMF120N60EC，Ta=25℃的条件下，连续漏极电流为30A，最大导通电阻为120mΩ。具有高速开关和低导通电阻、100%雪崩测试、100%Rg测试等特点。
产品 发布时间 : 2022-03-16
【产品】强茂新推650V/10A无铅N沟道超级结MOSFET PJMB390N65EC，漏源导通电阻低至390mΩ
强茂（PANJIT）新推TO-263封装的N沟道超级结MOSFET—PJMB390N65EC，在TA=25℃条件下，其漏源电压为650V，连续漏极电流为10A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为390mΩ（VGS=10V，ID=5A）。
新产品 发布时间 : 2022-08-19
【产品】采用TO-220AB-L封装的N沟道超结MOSFET，漏源电压为600V
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-220AB-L封装的N沟道超结MOSFET PJMP360N60EC，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为11A，最大漏源导通电阻为360mΩ。具有高速开关和低导通电阻、100%雪崩测试、100%Rg测试等特点。
产品 发布时间 : 2022-03-17
【产品】600V/11A N沟道超结MOSFET PJMD360N60EC，漏源导通电阻最大值为360mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-252AA封装的N沟道超结MOSFET PJMD360N60EC ，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为11A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为360mΩ（VGS=10V, ID=5.5A）。
新产品 发布时间 : 2022-03-19
【产品】采用ITO-220AB-F封装的N沟道超结MOSFET PJMF360N60EC，漏源电压为600V
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超结MOSFET PJMF360N60EC，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为11A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为360mΩ（VGS=10V, ID=5.5A）。
产品 发布时间 : 2022-03-30
【产品】漏源电压600V的N沟道超结MOSFET PJMF580N60E1，最大漏源导通电阻为580mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超结MOSFET——PJMF580N60E1，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为8A，最大漏源导通电阻为580mΩ，具有高速开关和低导通电阻等特点。
产品 发布时间 : 2022-03-25
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