【产品】能够进行2.5V栅极驱动的AP2080K系列采用先进功率创新设计和硅工艺技术，用于各种电源应用
铨力半导体推出的AP2080K系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种用于各种电源应用的极其高效的器件。
能够进行2.5V栅极驱动
小尺寸&超低RDS(ON)
符合RoHS标准且无卤素
绝对最大额定值（Tj=25℃除非另有说明）
热数据
电气特性（Tj=25℃除非另有说明）
源极-漏极二极管
注意：
1、脉冲宽度受最大结温限制。
2、脉冲测试。
3、表面安装在FR4板的1平方英寸2oz铜焊盘上，t ≤10秒； 135℃/W当安装在最小铜焊盘上时
4、最大电流受封装限制。
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
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ID(A) Tc=100℃
|
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AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
|
N
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20
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±8
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0.5-1.2
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-
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45/52
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52/67
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-
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2
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
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可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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