【产品】N沟道功率mosfet P70LF4QLK、P105LF4QLK、P140LF4QLK，采用小型SMD封装

时间： 2020-09-25 来源：Shindengen

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N沟道功率mosfet,P105LF4QLK,P140LF4QLK,P70LF4QLK

SHINDENGEN（新电元）推出了型号为P70LF4QLK、P105LF4QLK、P140LF4QLK的N沟道功率mosfet，该产品采用小型SMD封装，使用4.5V栅极驱动，符合RoHS认证，具有大电流、低电容特点。

图1 产品外型图2 等效电路

（封装：LF；JEDEC代码:MO-235B similar）

特征：

・ N沟道

・小型SMD

・大电流

・Low Ron

・4.5V栅极驱动

・低电容

・基于AEC-Q101

・无铅端子

・符号RoHS认证

・贮存温度：-55至175℃

・沟道温度：-55至175℃

・漏源电压：40V

・栅源电压：±20V

・漏源击穿电压最小值为40V

・零栅极电压漏极电流最大为1μA

・栅极阈值电压可为：1.5/2/2.5V

・源漏二极管正向电压：1.5V

・最大栅源漏电流：±0.1μA

三个型号产品绝对最大额定值不同处（除非另有说明：Tc = 25℃）：

三个型号产品电气特性不同处（除非另有说明：Tc = 25℃）：

外形尺寸：

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全部评论（10）

Jerrfy Lv9. 科学家 2021-01-14

新电元的电源类IC确实可靠
王乐乐 Lv5. 技术专家 2021-02-02

学习了
枫丹白露 Lv7. 资深专家 2021-01-28

学习
lgg Lv7. 资深专家 2021-01-16

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有容乃大 Lv9. 科学家 2021-01-15

学习了

wqm Lv7. 资深专家 2021-01-15

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ZPzhong Lv7. 资深专家 2021-01-15

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ZHANGKK Lv7. 资深专家 2021-01-15

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otsuka Lv9. 科学家 2021-01-15

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lyh Lv5. 技术专家 2021-01-15

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