【产品】霍尔效应传感器IC AS1812系列支持1.65V~5.0V宽输入电压，总功耗典型值小于0.6μA@1.8V

时间： 2022-06-07 来源：昂赛微电子

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昂赛微电子推出采用低功耗CMOS工艺的AS1812系列霍尔效应传感器IC，专为低功耗，高性能的单极性检测霍尔效应应用而设计，例如带盖开关，无接触开关，固态开关以及盖子(Lid)关闭传感器等电池供电应用领域。该霍尔传感器内部集成了一个用于磁感应的片上霍尔电压发生器，一个用于放大霍尔电压功能的比较器，一个斩波放大器，一个用于提供开关磁滞以及噪声抑制的施密特触发器，以及一个互补输出。

电源电压1.8V时，AS1812的总功耗典型值为0.6μA。AS1812设计用于响应S极的磁场变化。当磁通密度（B）大于工作点（B_OPS），输出将打开（变为低电平），保持输出打开直到磁通密度（B）低于释放点（B_RPS），然后输出关闭（变为高电平）。器件B_OPS典型值为30Gauss，B_RPS的典型值为20Gauss，支持单极性操作，易于作为输出使用，且其无需上拉电阻，小尺寸封装，具有良好的抗射频干扰能力，特别适用于机盖开关、DV、DSC和白色家电等产品应用领域。

器件绝对最大额定参数方面（指T_A=25°C，除非另有说明），V_DD引脚至GND引脚电压范围为-0.3~5.0V， Output引脚到GND引脚电压范围为 -0.3 ~V_DD+0.3V，最大持续输出电流为2.0mA，器件耗散功率为250mW（DFN1216-4L封装）、180mW（SOT553封装），支持高达8000V的ESD（人体放电模型）防护等级，工作结温范围为-40℃~+150℃ ，存储温度范围为-55℃~+150℃，支持最高焊接温度 (引脚, 10s)高达300 ℃。该器件支持DFN1216-4L和SOT553封装类型，推荐工作温度范围为-40℃~+85℃。所有器件封装均符合RoHS和绿色环保标准。

产品特征

输入电压范围：1.65V至5.0V
微功耗特别适合电池供电产品应用
支持单极性操作，易于作为输出使用
超高灵敏度霍尔检测传感器
集成低功耗CMOS工艺技术
集成斩波稳定放大器
磁灵敏度（典型值）

B_OPS=30Gauss，B_RPS=20Gauss

具有良好的抗射频干扰能力
无需上拉电阻
小尺寸封装
符合RoHS和绿色环保标准
支持DFN1216-4L和SOT553封装类型
推荐工作温度范围为-40℃~+85℃

产品应用

翻盖式手机的机盖开关
笔记本电脑，PC/PAD中的翻盖检测开关
消费电子产品中的无触点式开关
固态开关应用
手持式无线手机唤醒开关应用
采用电池供电产品中检测Lid关闭的传感器应用
磁感应传感器产品中，在低占空比应用中可替换磁簧开关
DV，DSC和白色家电

典型应用电路

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用于S极和N极低功耗霍尔效应传感器IC的AS1821双路输出

本资料介绍了ANGSEMI公司的低功耗霍尔效应传感器IC AS1821。该芯片具有双极性输出，适用于电池供电的低功耗应用，如翻盖开关、无接触式开关、固态开关和闭合传感器等。AS1821采用低功耗CMOS工艺，具备高灵敏度、良好的射频噪声免疫能力等特点。

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