【产品】N沟道超结功率MOSFET管CWS65R190B,具有快速开关能力,适用于高性能适配器等


SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术,根据超结原理设计而成。武汉芯源的N沟道超结功率MOSFET型号CWS65R190B集成了MOSFET快速开关和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效和更紧凑的LED照明和高性能适配器等应用。
特性
• 非常低的Rdson*Qg,其损耗极低
• 卓越的雪崩增强技术
• 快速开关能力
• 100%雪崩测试
• 采用无铅电镀引线;符合ROHS标准
应用
功率因数校正(PFC)
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
高性能适配器
LED照明电源
订购信息
注释:
1. 受限于最大结温
2. 脉冲宽度受限于最大结温
3. IAS=7.7A,VDD=50V,RG=25Ω,启动温度TJ=25℃
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产品型号
|
品类
|
漏极电流ID Max(A)
|
漏源耐压 VDSS Min(V)
|
导通电阻 RDS(on) Typ(Ω)
|
导通电阻 RDS(on) Max(Ω)
|
栅极电阻 Rg(Ω)
|
栅极电荷 Rg(nC)
|
反向恢复时间 Trr(nS)
|
封装
|
CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
|
8.9
|
215
|
TO-220F-3L
|
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