【产品】​N沟道超结功率MOSFET管CWS65R190B,具有快速开关能力,适用于高性能适配器等

2023-01-01 武汉芯源
N沟道超结功率MOSFET,CWS65R190B,CWS65R190BDR,CWS65R190BF N沟道超结功率MOSFET,CWS65R190B,CWS65R190BDR,CWS65R190BF N沟道超结功率MOSFET,CWS65R190B,CWS65R190BDR,CWS65R190BF N沟道超结功率MOSFET,CWS65R190B,CWS65R190BDR,CWS65R190BF

SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术,根据超结原理设计而成。武汉芯源N沟道超结功率MOSFET型号CWS65R190B集成了MOSFET快速开关和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效和更紧凑的LED照明和高性能适配器等应用。


特性

• 非常低的Rdson*Qg,其损耗极低

• 卓越的雪崩增强技术

• 快速开关能力

• 100%雪崩测试

• 采用无铅电镀引线;符合ROHS标准


应用

  • 功率因数校正(PFC)

  • 开关电源(SMPS)

  • 不间断电源(UPS)

  • 高性能适配器

  • LED照明电源


订购信息







注释:

1. 受限于最大结温

2. 脉冲宽度受限于最大结温

3. IAS=7.7A,VDD=50V,RG=25Ω,启动温度TJ=25℃

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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