【产品】N沟道超结功率MOSFET管CWS65R190B，具有快速开关能力，适用于高性能适配器等
SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，根据超结原理设计而成。武汉芯源的N沟道超结功率MOSFET型号CWS65R190B集成了MOSFET快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效和更紧凑的LED照明和高性能适配器等应用。
特性
• 非常低的Rdson*Qg，其损耗极低
• 卓越的雪崩增强技术
• 快速开关能力
• 100%雪崩测试
• 采用无铅电镀引线；符合ROHS标准
应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
订购信息
注释：
1. 受限于最大结温
2. 脉冲宽度受限于最大结温
3. IAS=7.7A，VDD=50V，RG=25Ω，启动温度TJ=25℃
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武汉芯源功率MOSFET选型表
武汉芯源提供N沟道基于超级结技术的功率MOSFET以下参数选型，漏极电流ID Max（A）:5~75A，漏源耐压VDSS Min（V）:550~700V
|
产品型号
|
品类
|
漏极电流ID Max（A）
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漏源耐压 VDSS Min（V）
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导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)
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导通电阻 RDS(on) Max（Ω)
|
栅极电阻 Rg（Ω)
|
栅极电荷 Rg（nC）
|
反向恢复时间 Trr（nS）
|
封装
|
|
CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
|
8.9
|
215
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TO-220F-3L
|
选型表 - 武汉芯源 立即选型
CWS7N65A 650V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS7N65ADR,CWS7N65A,CWS7N65AF,CWS7N65AT,CWS7N65AD
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