【产品】漏源电压40V的N沟道增强型功率MOSFET RMD50N40DF,采用高密度单元设计,ESD耐受能力高

2022-10-21 丽正国际
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丽正国际推出的N沟道增强型功率MOSFET RMD50N40DF使用先进的沟槽技术和设计来提供优良的RDS(ON),具有低栅极电荷,可以被广泛地应用。采用特殊的工艺技术,ESD耐受能力高,采用高密度单元设计,具有超低的Rdson,全面表征雪崩电压和电流。

 

特性

VDS=40V,ID=65A

RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=10V(典型值:6.8mΩ)

RDS(ON)<10mΩ@VGS=4.5V(典型值:8.5mΩ)

采用特殊的工艺技术,ESD耐受能力高

高密度单元设计,具有超低的Rdson

全面表征雪崩电压和电流

较好的稳定性和均匀性,EAS

采用出色的封装,散热性能好

 

应用

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源

无卤素

 

100%UIS测试!

100%∆Vds测试!

 

封装标记和订购信息 

 

绝对最大额定值(Tc=25℃,除非另有说明)

 

 

电气特性(Tc=25℃,除非另有说明)


备注:

1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制

2.EAS条件:TJ=25℃,VDD=20V,RG=25Ω,L=0.5mH

3.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%

4.表面贴装在FR4板上,t≤10秒

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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