森国科携功率器件产品亮相第十六届SNEC光伏展,为光伏、储能、新能源汽车等产业提供绿色芯动力
2023年5月24日至26日,为期三天的第十六届(2023)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会(SNEC)圆满落幕,有着业内“晴雨表”之称的SNEC,本届展会全球95个国家、超3000家企业参展,吸引了逾50万人现场看展。作为国内领先的功率半导体设计公司,森国科致力于为光伏、储能、新能源汽车等产业提供绿色芯动力,此次亮相光伏展,带来了全系列碳化硅产品及光伏、储能领域的应用方案。
绿色发展,功率器件在光伏逆变器上的应用
SiC MOSFET或SiC MOSFET+SiC SBD模组的光伏逆变器能将转换效率由96%提升至99%以上,能量损耗可降低50%以上,设备循环寿命提升50倍。对于100kW的太阳能逆变器,其平均需要30-50颗SiC器件。二极管与三极管比例在4:1与5:1之间。据CASA预测,2025年光伏逆变器中SiC器件价值占比将增长至50% 。
践行低碳,功率器件在储能领域的应用
2021-2025 年电力系统用储能装机需求分别为117、190、274、367和507GWh,需求年平均增速约为 83.34%。2021年储能逆变器(PCS)和能量管理系统(EMS)价格按照0.8元/W计算,2025年每年价格下降8%,则分别为234、349、463、571、726亿市场空间。其中功率器件占比5%左右,将有11.7亿、17.5亿、23.1亿、28.5亿、36.3亿的市场机会。
森国科产品选型一览
650V碳化硅二极管选型
650V碳化硅二极管选型
1200V碳化硅二极管选型
1200碳化硅MOSFET选型
1200V碳化硅模块选型
IGBT产品选型
降本增效 碳化硅功率器件的未来
01 提高器件的可靠性和效率
1、提高材料质量和工艺稳定性
碳化硅功率器件生产过程中需要控制材料质量和工艺稳定性,尤其是在制造高质量晶体时。此外,还需要采用先进的微细加工技术,提高器件的精度和一致性,从而提升器件的可靠性和效率。
2、优化设计和结构
设计方面需要考虑材料的特性和应用场景的要求,选择最优的结构和参数。同时,还需通过设计优化减少能量损失和热效应,优化器件的电热特性和稳定性。
3、改进封装技术
封装方式对器件的性能和可靠性影响很大。因此,需要优化封装材料和结构,提高温度承受能力和抗电气应力能力。采用先进的封装工艺,可提高封装可靠性和耐久性。
02 缩小器件尺寸
碳化硅功率器件的未来趋势是朝着尺寸缩小的方向发展。针对此趋势,可以从以下方面进行更深入的探讨:
1. 更小的芯片尺寸
碳化硅器件尺寸的缩小,可通过采用更先进的制造工艺来实现,目标是在不增加器件大小的情况下提高芯片功率密度和效率。随着尺寸缩小,碳化硅器件的电路集成度不断提高。高集成度的器件可以带来更低的损耗和更小的体积,同时也可以实现更高的性能。
2. 更高的工作温度
尺寸缩小还可有效降低器件的热阻,使得器件能够在更高的温度下正常工作。这对于一些高温工作条件下的应用非常有益,例如航空航天、军事和汽车行业等。
03 降低成本
碳化硅功率器件随着市场规模的快速增长,降低成本是未来大趋势,可以从以下方面进行更深入的探讨:
更大尺寸的衬底,比如6寸到8寸;
更高效的衬底长晶效率,大幅度提升良率;
更低损耗的水冷激光切割;
更高效的外延生长效率;进一步扩大晶圆代工的生产规模,以规模化降低生产成本。
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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对于30KW的光伏逆变器最大功率点跟踪太阳能控制器(MPPT),可以考虑两路,IGBT模块V23990-P629-F73-PM是40A的产品,可考虑用两个该模块作为两路MPPT。
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【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
【方案】125kW(1500VDC系统)光伏逆变器优选器件方案
描述- 本方案基于 1500VDC 系统,提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块,内置全 SiC MOS 和二极管,以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构,耐压高达 2400V,在满足1500V 系统耐压需求的基础上,采用了低耐压的 IGBT,实现了较高的开关频率,有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
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江苏捷捷微电子股份有限公司是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业,同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。本文主要介绍江苏捷捷微电子产品在光伏逆变器应用方案,详细内容如下。
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