森国科携功率器件产品亮相第十六届SNEC光伏展，为光伏、储能、新能源汽车等产业提供绿色芯动力

时间： 2023-05-28 来源：森国科公众号

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2023年5月24日至26日，为期三天的第十六届（2023）国际太阳能光伏与智慧能源（上海）大会暨展览会（SNEC）圆满落幕，有着业内“晴雨表”之称的SNEC，本届展会全球95个国家、超3000家企业参展，吸引了逾50万人现场看展。作为国内领先的功率半导体设计公司，森国科致力于为光伏、储能、新能源汽车等产业提供绿色芯动力，此次亮相光伏展，带来了全系列碳化硅产品及光伏、储能领域的应用方案。

绿色发展，功率器件在光伏逆变器上的应用

SiC MOSFET或SiC MOSFET+SiC SBD模组的光伏逆变器能将转换效率由96%提升至99%以上，能量损耗可降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。对于100kW的太阳能逆变器，其平均需要30-50颗SiC器件。二极管与三极管比例在4:1与5:1之间。据CASA预测，2025年光伏逆变器中SiC器件价值占比将增长至50% 。

践行低碳，功率器件在储能领域的应用

2021-2025 年电力系统用储能装机需求分别为117、190、274、367和507GWh，需求年平均增速约为 83.34%。2021年储能逆变器（PCS）和能量管理系统（EMS）价格按照0.8元/W计算，2025年每年价格下降8%，则分别为234、349、463、571、726亿市场空间。其中功率器件占比5%左右，将有11.7亿、17.5亿、23.1亿、28.5亿、36.3亿的市场机会。

森国科产品选型一览

650V碳化硅二极管选型

1200V碳化硅二极管选型

1200碳化硅MOSFET选型

1200V碳化硅模块选型

IGBT产品选型

降本增效碳化硅功率器件的未来

01 提高器件的可靠性和效率
1、提高材料质量和工艺稳定性

碳化硅功率器件生产过程中需要控制材料质量和工艺稳定性，尤其是在制造高质量晶体时。此外，还需要采用先进的微细加工技术，提高器件的精度和一致性，从而提升器件的可靠性和效率。

2、优化设计和结构

设计方面需要考虑材料的特性和应用场景的要求，选择最优的结构和参数。同时，还需通过设计优化减少能量损失和热效应，优化器件的电热特性和稳定性。

3、改进封装技术

封装方式对器件的性能和可靠性影响很大。因此，需要优化封装材料和结构，提高温度承受能力和抗电气应力能力。采用先进的封装工艺，可提高封装可靠性和耐久性。

02 缩小器件尺寸
碳化硅功率器件的未来趋势是朝着尺寸缩小的方向发展。针对此趋势，可以从以下方面进行更深入的探讨：

1. 更小的芯片尺寸

碳化硅器件尺寸的缩小，可通过采用更先进的制造工艺来实现，目标是在不增加器件大小的情况下提高芯片功率密度和效率。随着尺寸缩小，碳化硅器件的电路集成度不断提高。高集成度的器件可以带来更低的损耗和更小的体积，同时也可以实现更高的性能。

2. 更高的工作温度

尺寸缩小还可有效降低器件的热阻，使得器件能够在更高的温度下正常工作。这对于一些高温工作条件下的应用非常有益，例如航空航天、军事和汽车行业等。

03 降低成本
碳化硅功率器件随着市场规模的快速增长，降低成本是未来大趋势，可以从以下方面进行更深入的探讨：

更大尺寸的衬底，比如6寸到8寸；

更高效的衬底长晶效率，大幅度提升良率；

更低损耗的水冷激光切割；

更高效的外延生长效率；进一步扩大晶圆代工的生产规模，以规模化降低生产成本。

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

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