【产品】大动态范围TMR线性传感器TMR2102,具有典型值0.1Oe的极低磁滞
多维科技的大动态范围TMR线性传感器TMR2102采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102性能优越,采用两种封装形式:SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)和DFN8(3mm × 3mm × 0.75mm)。
产品特性:
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;
(2)高灵敏度;
(3)宽动态范围;
(4)更低功耗;
(5)优越的温度稳定性;
(6)极低的磁滞;
(7)宽工作电压范围
典型应用:
(1)磁力计;
(2)电流传感器;
(3)工业流量计;
(4)位置传感器;
(5)角度传感器
性能参数(VCC=1.0V,TA=25℃)
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多维科技(MDT)磁传感器芯片和模组选型指南
描述- 江苏多维科技有限公司(MDT)创立于2010年,公司总部座落于江苏省张家港保税区,是一家专注于磁性传感器的制造商。多维科技拥有400余项专利,200多款磁传感器产品和先进的磁( TMR/GMR/AMR)传感器量产晶圆产线,可批量生产、供应各类高性能磁传感器,以满足客户多元化的应用需求。
型号- AMR3108G,GE-T,TMR2705,TMR1202HT,TMR2703,TMR7401-600MA,USB2510-CAL01-800,TMR6406L,USB21023,USB25103,TMR1102,TMR1302H,TMR1343,TMR1342,AMR3108AP,TMR1341,TMR1348,TMR3002,TMR7204,TMR3004,AMR4020,TMR1345,TMR3005,AGVTMR45XS,TMR7504-B,USB2510A,TMR6406X,TMR3001,TMR1340,TMR13DX,TMR7553-B,AGVTMR25XC,LPS-TMR125B4,GE-A,TMR2602,TMR3105AP,AMR3013P,TMR6401,AMR4010,AGVTMR25X4,TMR6218LA,TMR9112,TMR2305M,TMR2605,TMR6206D,TMR2604,LPS-TMR125A4,TMR1366,TMR6206L,TMR7903,TMR2613,TMR4M06,TMR7502,AGVTMR46XS,TMR4M07,TMR4M08,TMR4M02,TMR4M03,TMR4M04,TMR4M05,TMR1362,TMR9002,TMR6217LA2,TMR9001,AMR2501,USB27053,TMR7554-B,TMR7401-1000MA,TMR2103,TMR4007,USB2705A,TMR2102,TMR6306,AGVTMR15XN,TMR2503,TMR4003,TMR2623,TMR4004,AGVTMR15XP,TMR2105,TMR2501,TMR4005,TMR2104,TMR4006,AMR3003L,TMR4001,TMR4002,TMR1252,FSD-TMR1005,TMR7502-C,TMR2109,TMR2505,TMR2901,TMR2108,TMR2905,FSD-TMR1006,TMR4018,TMR6318,TMR2111,AGVTMR45LC,TMR1304,TMR4014,TMR1303,TMR4015,AMR4100,TMR1148,TMR1302,TMR4016,TMR4017,TMR1302HT,TMR4011,TMR4012,TMR7401,TMR4013,TMR2110,TMR1383,TMR1262,TMR3105G,TMR6212LA,TMR7555-B,TMR7303-D,TMR7551-B,TMR7401-300MA,AMR1507,TMR-MAC005,TMR1308,TMR6401C,TMR1305,TMR6218XA,TMR1309,TMR1157,TMR2003,AMR3001,TMR1155,TMR2001,TMR6209,TMR1202H,TMR62082,TMR2005,AMR3005,AMR3008,TMR7503-B,TMR2009,TMR2922,AMR4050,TMR2653,AGVTMR46LC,TMR7204-C,TMR1287,TMR7303,TMR1202,TMR7302,AMR2302,TMR6404X,TMR1283,TMR1162,TMR7556-B,TMR3102P,TMR7302-D,TMR6403A,TMR6318C,TMR7552-C,TMR1208,TMR1206,USB2510T,AGVTMR360C,TMR1212,AMR1320,TMR2701,TMR6501,TMR1215,TMR1341XD,TMR1213,TMR7551
多维科技传感器芯片选型表
多维科技传感器芯片选型表提供TMR磁开关传感器芯片,TMR角度传感器芯片,TMR线性磁场传感器芯片,TMR齿轮传感器芯片,AMR磁开关传感器芯片,AMR角度传感器芯片,AMR线性磁场传感器芯片,AMR磁栅传感器芯片,薄膜型温度传感器芯片选型,基于单极、双极锁存、全极等类型,0~40V供电电压等、多种输出接口和敏感方向等。
产品型号
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品类
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兼容型号
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类型
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供电电压(V)
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功耗(nA、μA、mA)
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工作模式
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敏感方向
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B_op(Gs,25°C)(Gs)
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B_rp(Gs,25°C)(Gs)
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输出接口
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封装形式
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TMR1102
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TMR磁开关传感器芯片
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—
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单极
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1.8~5.5 V
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1.5μA
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连续供电
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X轴
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17
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13
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CMOS
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SOT23-3
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选型表 - 多维科技 立即选型
【选型】TMR线性磁传感器替代霍尔器件,可显著改善电流传感器的灵敏度和温度特性
多维科技生产的TMR2501、TMR2503、TMR2505线性传感器采用SSIP-4封装,在垂直方向测量磁场,与通行的霍尔器件完全兼容。对闭环电流传感器来说,电流传感器厂家只需改变一下磁传感器的偏置电阻值,无需更改PCB设计和产品结构既可直接替代霍尔器件。
器件选型 发布时间 : 2020-09-20
MDT——The Leading Supplier of TMR Magnetic Sensors Brochure
型号- CN203894395U,CN202119391U,CN202916902U,TMR2705,TMR2704,TMR2703,TMR703H,WO2015014248 A1,CN102297652B,TMR3002,CN103913183A,CN104301851A,CN103968918A,TMR3001,WO2014190943 A1,MMS2X1H,CN202119390U,MIS6318,WO2014206351 A1,EP2818884A1,CN203119864U,CN104065367A,CN203940940U,TMR1350,MMG245D,CN203203607U,MMG245F,US20140300348A1,MIS6309,MMA253F,2015-511705,MIS6301,EP2790030A1,CN202121565U,MMGC45D,CN104197827A,US20140327437A1,WO2014190909 A1,TMR705,CN102208530B,TMR703,MMG345F,CN203116756U,CN102169133B,MMS201H,CN104021411A,CN102298124B,CN104197828A,TMR2103,TMR4007,CN204129826U,TMR2102,TMR2101,CN203300354U,TMR2503,TMR4003,TMR4004,MMG845D,TMR2501,TMR4005,TMR4006,CN104280700A,TMR4001,TMR4002,TMR1251,TMR1250,MMS101H,CN103968860A,TMR2505,CN103915233A,TMR2905,CN102621504B,2015-513667,TMR1303,TMR1302,TMR1301,CN102968845A,CN203083663U,EP2801834A1,WO2014190907 A1,CN203133257U,EP2827165A1,CN202230192U,MMG145F,WO2015010620 A1,TMR1308,TMR1306,TMR1305,2014-529743,TMR1309,CN203083583U,WO2015010649 A1,TMR6209,TMR6206,MMLP57F,MMLP57H,TMR6201,MMLH45F,MMS1X1H,MMA233F,CN204043603U,TMR2922,CN102790613A,TMR1201,TMR6218,TMR1202,CN204043604U,2014-532883,EP2752676A1,CN203038357U,2015-503735,TMR501,CN103995240A,US20150130445A1,TMR6201D,US20150091560A1,MMG445D,TMR2701,CN103925933A,WO2015014277 A1
多维科技TMR线性磁场传感器芯片选型表
多维科技TMR线性磁场传感器芯片选型, 全桥磁阻结构, 供电电压0~7V/0.5V~7V, 灵敏度0.08mV/V/Gs~300mV/V/Gs, 电阻0.8kΩ~80kΩ
产品型号
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品类
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磁阻结构
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供电电压(V)
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灵敏度(mV/V/Gs)
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电阻(kΩ)
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饱和场(Gs)
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敏感方向
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磁滞(Gs)
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封装(mm)
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TMR2001
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TMR线性磁场传感器芯片
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全桥
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0~7V
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8mV/V/Gs
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60kΩ
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±25Gs
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X轴
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0.4Gs
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SOT23-5
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选型表 - 多维科技 立即选型
【产品】±30Oe下灵敏度6.0mV/V/Oe的大动态范围TMR线性传感器,具有低磁滞、低功耗等优点
TMR2103是多维科技推出的一款大动态范围TMR线性传感器。该传感器具有高灵敏度、极低的磁滞、低功耗、优越的温度稳定性以及宽工作电压范围的优点。该传感器芯片在±30Oe范围拟合情况下的灵敏度典型值为6.0mV/V/Oe,磁滞的典型值为0.3Oe。
新产品 发布时间 : 2021-08-28
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
提交需求>
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