【产品】N沟道&P沟道互补型功率MOSFET YJS2308A,单芯片集成一个NMOS以及一个PMOS
扬杰科技(YANGJIE)推出的N沟道&P沟道互补型功率MOSFET YJS2308A,单芯片集成一个NMOS以及一个PMOS,采用SOT-23-6L封装,支持电流大,低导通阻抗,高开关速度,主要应用于负载开关、无线充电以及电源管理等方面。
产品概述
NMOS
漏源电压 20V
漏极电流 5.6A
导通阻抗RDS(ON)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <25mohm
● RDS(ON)( at VGS=2.5V) <32mohm
● RDS(ON)( at VGS=1.8V) <49mohm
PMOS
漏源电压 -20V
漏极电流 -3.7A
导通阻抗RDS(ON)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <64mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) <80mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) <110mohm
主要特征
Power Trench低压MOSFET 技术
低导通阻抗的高密度晶圆设计
高开关速度
应用:
无线充电
负载开关
电源管理
额定最大参数(TA=25℃)
A:脉冲测试:脉冲宽度≤300us,占空比≤2%。
B:RθJA是结-壳和壳-环境热阻之和,其中外壳热基准定义为漏极引脚的焊料安装表面。RθJC由设计保证,RθJA由板设计确定。这里给出的最大额定值是基于安装在1/2的2oz铜焊盘上。
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
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
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描述- 11月7日直播,带来电源管理革新、汽车电子智能化、可再生能源与储能、光通讯与光模块、医疗健康与个人护理等领域电源信号链新产品新技术,点击了解报名。
议题- 信号链:射频开关,ADC,DAC,运放,比较器,数模混合IC,温度传感器 | 电源管理:锂电管理,氮化镓驱动,马达驱动,高低边驱动,DC-DC,AC-DC,电压基准源 | 汽车:车身电子,HUD,激光雷达,智能座舱,OBC,充电桩,T-BOX,氛围灯,车载摄像头,倒车雷达,热管理,BMS | 光通讯,光模块,交换机(POE),AFE,个人护理,医疗健康 | 可再生能源:光伏储能(模拟ADC产品) | 工业:机器人,变频伺服 | 电力:数字电源,电动工具,安防监控 | SG Micro Corp(圣邦微电子)——十大中国IC设计公司之一,模拟集成电路领导者 | 模拟与嵌入式产品和解决方案供应商——思瑞浦(3PEAK) | 以模拟技术为优势的电子器件和微波产品,为客户提供最佳的模拟解决方案——Nisshinbo (日清纺) | 国产首款40V、5A 、AEC 、Q100车规级低能耗高可靠电源降压芯片生产商——芯洲科技(SCT) | 高性能模拟和数模混合半导体供应商——JW JOULWATT(杰华特) | 全球首家Force Touch SoC芯片供应商——芯海科技(CHIPSEA) | 全球电子成就奖●年度微控制器/接口产品奖获得者——国民技术(Nations) | 专业的高性能模拟器件及数模混合芯片解决方案供应商——拓尔微电子(TOLL) | 专注于高性能、高品质模拟/混合信号的芯片设计公司:润石科技(Runic) | 专注于高性能模拟及混合信号芯片设计——领慧立芯(legendsemi) | 致力打造世界一流高端模拟芯片方案供应商——治精微(ZJW) | 高端模拟及数模混合芯片和解决方案供应商——类比半导体(AnalogySemi) | 高性能全范围模拟信号链(放大器/ADC/DAC/基准/电源)芯片供应商——士模(CIMO) | 致力于向客户提供多品类、全系列电源管理芯片产品及解决方案供应商——ETA SEMICONDUCTOR(钰泰半导体) | 专注BMS,电源及可编程模拟芯片的知名半导体厂商——芯祥科技(EnergyMath) | 专注研发小型化、高可靠电源,为客户提供完整可靠的电源解决方案——ZOEYGO(中逸光) | 专业从事电源产品的研发、生产、销售及综合解决方案的模块电源生产厂家——TOPPOWER(顶源科技) | 模拟芯片领先设计商——微源半导体(LPSemi) | 领先的高密度神经刺激芯片和生物传感芯片供应商——Nanochap(暖芯迦) | 专注于高性能信号链集成电路产品研发——芯聚威(Silicoway) |
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目录- 整流桥 Rectifier Bridge 整流二极管 Rectifier Diode 快恢复二极管 Quick-recovery Diode 超高效整流二极管 Ultra High Efficiency Rectifier Diode 肖特基二极管 Schottky Diode 光伏二极管 Photovoltaic Diode 瞬态抑制二极管 Transient Voltage Suppressor 稳压二极管 Zener Diode 放电管 Discharge Tube 静电放电 ESD 小信号开关二极管 Small Signal Switching Diode 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode 小信号三极管 Small Signal Triode 小信号数字晶体管 Small Signal Digital Transistor 晶闸管/整流二极管/三相整流桥模块 THYRISTOR/RECTIFIER/ THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE IGBT模块 IGBT MODULES 肖特基模块/碳化硅肖特基模块 SCHOTTKY MODULES/SIC SCHOTTKY MODULE 快恢复二极管模块 FRD DIODE MODULES 中低压MOS管 Medium and Low Voltage MOS Tube
型号- 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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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