【产品】PDFN 5X6封装N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A，利用先进的沟道功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A ，采用PDFN 5X6封装。漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），可用于DC-DC转换器 、电源管理功能及背光应用等领域。
图1 产品实物图
同时，该器件总栅极电荷Qg（10V）典型值为102nC，开关损耗低，效率高。器件总耗散功率最大额定值为83W（TC=25℃），工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，可适应广泛的工业温度范围。此外，YJG100N04A晶体管的tD(on)，tr，tD(off)，tf典型值分别为12ns，54ns，120ns，80ns，具有高速开关的特性。
产品特性：
●VDS 最大40V
●ID 最大100A
●RDS（ON）（VGS=10V时）＜3.5mohm
●RDS（ON）（VGS=4.5V时）＜4.8mohm
●经过100％UIS测试
●已通过100％▽VDS测试
●沟道功率低压MOSFET技术
●良好的散热封装
●低RDS（ON）的高密度单元设计
应用领域：
●DC-DC转换器
●电源管理功能
●背光应用
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