【产品】PDFN 5X6封装N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A，利用先进的沟道功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A ，采用PDFN 5X6封装。漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），可用于DC-DC转换器 、电源管理功能及背光应用等领域。
图1 产品实物图
同时，该器件总栅极电荷Qg（10V）典型值为102nC，开关损耗低，效率高。器件总耗散功率最大额定值为83W（TC=25℃），工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，可适应广泛的工业温度范围。此外，YJG100N04A晶体管的tD(on)，tr，tD(off)，tf典型值分别为12ns，54ns，120ns，80ns，具有高速开关的特性。
产品特性：
●VDS 最大40V
●ID 最大100A
●RDS（ON）（VGS=10V时）＜3.5mohm
●RDS（ON）（VGS=4.5V时）＜4.8mohm
●经过100％UIS测试
●已通过100％▽VDS测试
●沟道功率低压MOSFET技术
●良好的散热封装
●低RDS（ON）的高密度单元设计
应用领域：
●DC-DC转换器
●电源管理功能
●背光应用
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
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品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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