【产品】AiT新推出的P沟道增强型功率MOSFET AM4435，采用SOP8封装
AIT推出的AM4435是一款P沟道增强型功率MOSFET。AM4435采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至4.5V。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM4435的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±20V、连续漏极电流-9.1A、脉冲漏极电流-50A、最大耗散功率3.1W。工作结温和存储温度均为-55°C ~150°C。
AM4435采用SOP8封装，引脚分布如下图：
产品特性：
VDS = -30V， ID = -9.1A
RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=-10V
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
采用SOP8封装
产品应用：
电池开关
负载开关
电源管理
订购信息：
P沟道MOSFET：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由爱分享的咪猫翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】-20V/-2.6A P沟道增强型功率MOSFET RM2301E，采用SOT-23封装
丽正国际推出的RM2301E是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，同时可以在低至2.5V的栅极电压下运行，非常适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2301E可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±10V，可以承受漏极连续电流最大额定值为-2.6A。
新产品 发布时间 : 2019-11-02
【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C
RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-23
【产品】-30V/-5.1A P沟道增强型功率MOSFET RM5A1P30S6，采用SOT-23-6封装
RM5A1P30S6是丽正国际推出的一款采用SOT-23-6封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，适用于负载开关或PWM应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-20
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
【产品】P沟道增强型功率MOSFET RM3401，具有出色的RDS（ON）性能
丽正国际推出的RM3401是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM3401漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为-4.2A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~150℃。
新产品 发布时间 : 2019-11-11
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论